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龙图腾网获悉深圳天狼芯半导体有限公司申请的专利改善续流的碳化硅功率器件及其制备方法、芯片获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN121398075B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-05-01发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202511971550.2，技术领域涉及：H10D30/66；该发明授权改善续流的碳化硅功率器件及其制备方法、芯片是由乔凯设计研发完成，并于2025-12-25向国家知识产权局提交的专利申请。

本改善续流的碳化硅功率器件及其制备方法、芯片在说明书摘要公布了：本申请属于功率器件技术领域，提供了一种改善续流的碳化硅功率器件及其制备方法、芯片，通过设置第一P型阱区形成于顶部外延区中，形成于第一P型阱区上的P型重掺杂区，相邻的第二P型阱区之间由所顶部外延区隔离，至少所述第二P型阱区以P型重掺杂区对称设置，并且第二P型阱区的深度小于第一P型阱区的深度，P型重掺杂区集中在屏蔽区，并且第一电极经屏蔽区内的P型重掺杂区或者P型重掺杂区内的接触孔，以及经肖特基金属层与顶部外延区或者N型漂移区接触，从而在器件内部集成肖特基二极管，增强器件的反向续流特性，降低器件的反向开启电压。

本发明授权改善续流的碳化硅功率器件及其制备方法、芯片在权利要求书中公布了：1.一种改善续流的碳化硅功率器件，其特征在于，所述碳化硅功率器件包括： 碳化硅衬底和形成于所述碳化硅衬底正面的N型漂移区； 形成于所述N型漂移区上的顶部外延区； 形成于所述N型漂移区上，且形成于所述顶部外延区中的第一P型阱区； 与所述第一P型阱区接触的P型重掺杂区； 多个形成于所述顶部外延区中的第二P型阱区，所述第二P型阱区的深度小于所述第一P型阱区的深度，相邻的所述第二P型阱区之间由所述顶部外延区隔离，至少两个所述第二P型阱区以所述P型重掺杂区对称设置； 多个形成于所述第二P型阱区上的N型重掺杂区；其中，所述N型重掺杂区位于所述第二P型阱区的凹槽内； 形成于所述顶部外延区和所述P型重掺杂区的部分区域上的栅极介质层，所述栅极介质层覆盖所述第二P型阱区； 由所述栅极介质层包裹的栅极层； 覆盖于所述栅极介质层的第一电极，所述第一电极经所述P型重掺杂区内的接触孔通过肖特基金属层与所述顶部外延区接触；其中，相邻的所述第二P型阱区之间的顶部外延区为N型JFET区，所述N型JFET区的水平截面形状为十字形，所述第一P型阱区和所述P型重掺杂区位于所述N型JFET区的交叉区域； 所述第一P型阱区的中央区域设置有接触孔，所述P型重掺杂区位于所述第一P型阱区的接触孔内；所述第一电极为凸起结构，所述肖特基金属层形成于所述第一电极的凸起部侧面，所述肖特基金属层形成于所述第一P型阱区上，且所述第一电极通过所述肖特基金属层与所述顶部外延区接触；所述第一电极的凸起部外围设置有所述肖特基金属层，环状的所述肖特基金属层隔离第一电极的凸起部与所述顶部外延区，且，环状的所述肖特基金属层与所述顶部外延区之间形成肖特基接触； 形成于所述碳化硅衬底背面的第二电极。

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