合肥晶合集成电路股份有限公司孙铖获国家专利权
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龙图腾网获悉合肥晶合集成电路股份有限公司申请的专利一种半导体器件及制造方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN121310570B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-05-01发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202511861595.4，技术领域涉及：H10D30/01；该发明授权一种半导体器件及制造方法是由孙铖;何守俊;吴则贤设计研发完成，并于2025-12-11向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种半导体器件及制造方法在说明书摘要公布了：本申请提供一种半导体器件及制造方法，涉及半导体技术领域。本申请发现在较长的多晶硅沟道上形成凹槽结构后，针对凹槽结构两侧的侧壁氧化层的回刻工艺会在凹槽结构的肩部区域形成深宽比极高的高深宽比区域，该高深宽比区域的深宽比远超高密度等离子体氧化物沉积工艺的工作范围，使基于高密度等离子体氧化物沉积工艺在凹槽结构内形成的氧化物填充结构可能存在气泡缺陷，影响器件性能。针对该情况，本申请在执行高密度等离子体氧化物沉积工艺前，调整凹槽结构内的氧化物界面与多晶硅界面，使其齐平以消除高深宽比区域，使凹槽结构的深宽比满足高密度等离子体氧化物沉积工艺的工作范围，进而形成致密的氧化物填充结构，保证其电学隔离性能。
本发明授权一种半导体器件及制造方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体器件制备方法，其特征在于，所述制备方法包括： 提供一衬底，其中，所述衬底包括至少一个多晶硅沟道以及形成在所述多晶硅沟道两侧的侧壁氧化层； 对所述多晶硅沟道的至少一个局部区域执行第一刻蚀处理，去除所述多晶硅沟道在所述局部区域的部分多晶硅而形成凹槽结构； 对所述侧壁氧化层执行第二刻蚀处理，而使所述凹槽结构的至少部分凹槽侧壁扩张至所述侧壁氧化层内，其中，所述侧壁氧化层被刻蚀而在所述凹槽侧壁中朝向所述多晶硅沟道的延伸方向的第一侧壁中形成氧化物界面，所述氧化物界面在所述延伸方向越过所述第一侧壁中的多晶硅界面而在所述多晶硅界面两侧形成高深宽比区域； 将所述氧化物界面与所述多晶硅界面调整至平齐，以消除所述高深宽比区域； 对所述凹槽结构执行高密度等离子体氧化物沉积工艺，在所述凹槽结构内形成氧化物致密填充结构。
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