合肥晶合集成电路股份有限公司郭磊获国家专利权
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龙图腾网获悉合肥晶合集成电路股份有限公司申请的专利半导体器件的制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN121310569B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-05-01发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202511850942.3，技术领域涉及：H10D30/01；该发明授权半导体器件的制备方法是由郭磊;方晓宇;郭宜婷设计研发完成，并于2025-12-10向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体器件的制备方法在说明书摘要公布了：本申请提供了一种半导体器件的制备方法，包括提供衬底，所述衬底上具有栅极结构；在所述衬底及所述栅极结构上形成侧墙氧化层；在所述侧墙氧化层上形成应力记忆层并进行第一退火工艺；去除所述应力记忆层及部分厚度的所述侧墙氧化层；对剩余的所述侧墙氧化层进行掺氮工艺；刻蚀以去除剩余的所述侧墙氧化层。本申请意料不到的效果是：通过对剩余的所述侧墙氧化层进行掺氮工艺从而在剩余的所述侧墙氧化层中掺入氮离子，从而增加刻蚀以去除剩余的所述侧墙氧化层时的刻蚀速率，保证剩余的所述侧墙氧化层可以被去除干净，避免衬底上残留的侧墙氧化层影响后续金属接触层的形成，提高了器件的导电性能。
本发明授权半导体器件的制备方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体器件的制备方法，其特征在于， 包括： 提供衬底，所述衬底上具有栅极结构； 在所述衬底及所述栅极结构上形成侧墙氧化层； 在所述侧墙氧化层上形成应力记忆层并进行第一退火工艺，所述侧墙氧化层中的硅氧键断裂，使得所述侧墙氧化层质变； 去除所述应力记忆层及部分厚度的所述侧墙氧化层； 对剩余的所述侧墙氧化层进行掺氮工艺；以及， 刻蚀以去除剩余的所述侧墙氧化层； 进行所述掺氮工艺之后，去除剩余的所述侧墙氧化层之前，在含氧气体中对剩余的所述侧墙氧化层进行第二退火工艺。
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