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龙图腾网获悉山东华光光电子股份有限公司;长春理工大学申请的专利一种超晶格结构的单模660nm半导体激光器件及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN121307641B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-05-01发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202511851312.8，技术领域涉及：H01S5/343；该发明授权一种超晶格结构的单模660nm半导体激光器件及其制备方法是由刘飞;吴德华;王振华;魏志鹏;唐吉龙;李强设计研发完成，并于2025-12-10向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种超晶格结构的单模660nm半导体激光器件及其制备方法在说明书摘要公布了：本发明提供一种超晶格结构的单模660nm半导体激光器件及其制备方法，属于光电子技术领域，采用多层外延结构，从下至上依次包括GaAs衬底与缓冲层、分段式下限制层与下波导层、多量子阱有源区、AlInPGaP超晶格、上波导层与分段式上限制层、以及带隙过渡层与GaAs帽层。制备方法涵盖衬底处理、缓冲层生长、V族源切换、限制层与波导层外延、多量子阱与超晶格结构生长、以及帽层沉积等工艺。通过超晶格结构及限制层分段设计，提升了空穴注入效率与载流子限制能力，有效改善了器件的高温工作特性。实现了660nm波段下单模激光的稳定输出，并在60℃高温环境下可保持120mW的可靠功率输出，同时具备低损耗、高转换效率及优良的光电性能。

本发明授权一种超晶格结构的单模660nm半导体激光器件及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种用于制备超晶格结构的单模660nm半导体激光器件的制备方法，其特征在于，超晶格结构的单模660nm半导体激光器件包括从下至上划分为衬底与缓冲层、下限制与波导层、量子阱活性区、超晶格结构、上波导与限制层和过渡层与帽层； 方法包括： S101，提供GaAs衬底并进行表面热处理； S102，在GaAs衬底上生长GaAs缓冲层； S103，进行生长停顿以耗尽As原子； S104，在GaAs缓冲层上依次生长下限制层-1和下限制层-2； S105，在下限制层-2上生长下波导层，用于约束光场并引导激光模式； S105包括如下步骤： 对生长下波导层所需金属有机源与磷烷进行纯化处理，并在下限制层-2表面建立磷烷气氛与初始生长温度； 在磷烷气氛下将生长温度从初始值匀速降低至第一中间温度，同时按第一比例通入金属有机源生长过渡层，随后暂停通入金属有机源； 将生长温度从第一中间温度继续匀速降低至目标生长温度，调整金属有机源比例至第二比例并提高气体流量，生长下波导层的第一部分厚度； 通过测量厚度均匀性判断生长状态，根据测量结果选择性地调整或维持金属有机源流量，继续生长下波导层的剩余厚度至目标值； 停止通入金属有机源后在磷烷气氛与目标生长温度下进行保温处理，维持磷烷气氛与生长温度； S106，在下波导层上依次生长多量子阱结构和超晶格结构； S106包括如下步骤： 将生长室温度从下波导层的生长温度匀速降低至多量子阱结构的目标生长温度； 在目标生长温度下，通入III族源与磷烷，在下波导层上生长第一量子阱层； 维持目标生长温度，通入包含铝源的III族源与磷烷，在第一量子阱层上生长第一垒层； 重复执行量子阱层与垒层的生长过程，依次在第一垒层上生长后续的量子阱层与垒层，完成多量子阱结构； 在多量子阱结构上，通过交替通入不同的III族源与磷烷，生长超晶格结构； S107，在超晶格结构上依次生长上波导层、上限制层-1和上限制层-2； S108，在上限制层-2上依次生长带隙过渡层和GaAs帽层，带隙过渡层用于实现能带平稳过渡，GaAs帽层用于提供欧姆接触界面； S108包括如下步骤： 将生长室温度维持在上限制层-2的生长温度，并为生长带隙过渡层准备气体环境与压力条件； 在生长温度下，通入含铝源的III族源与磷烷，在上限制层-2上生长第一带隙过渡层并进行p型掺杂； 维持生长温度，通入不含铝源的III族源与磷烷，在第一带隙过渡层上生长第二带隙过渡层并进行p型掺杂； 将生长室温度从生长温度匀速降低至帽层生长温度，通入III族源与砷烷，在第二带隙过渡层上生长GaAs帽层并进行高浓度p型掺杂； 在帽层生长温度下进行原位退火处理，停止所有气体供应并对带隙过渡层与帽层进行检测。

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