存踵科技(上海)有限公司请求不公布姓名获国家专利权
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龙图腾网获悉存踵科技(上海)有限公司申请的专利嵌入式闪存结构及其制作方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN121262828B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-05-01发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202511372052.6，技术领域涉及：H10B41/30；该发明授权嵌入式闪存结构及其制作方法是由请求不公布姓名设计研发完成，并于2025-09-24向国家知识产权局提交的专利申请。
本嵌入式闪存结构及其制作方法在说明书摘要公布了：本发明提供一种嵌入式闪存结构及其制作方法，栅极堆叠层包括依次堆叠的遂穿氧化层、浮栅层、栅介质层以及控制栅层，浮栅层包含多个相互电隔离的纳米存储点。在编程时可将电荷存储在相互电隔离的多个纳米存储点中，当任一纳米存储点发生击穿时，由于各纳米存储点之间是电隔离的，其余未损坏的纳米存储点仍然能够正常存储电荷，使得浮栅层能够维持正常存储功能，进而提高存储器的整体稳定性，增加存储器的寿命。本发明一共有六种嵌入式闪存单元结构，特别是通过将遂穿氧化层和浮栅层设置为凸出于栅介质层以及控制栅层的两侧，从而大大提高嵌入式闪存的编程速度提高嵌入式闪存的编程速度。
本发明授权嵌入式闪存结构及其制作方法在权利要求书中公布了：1.一种嵌入式闪存结构，其特征在于，所述嵌入式闪存结构包括： 半导体衬底； 栅极堆叠层，形成在所述半导体衬底上，所述栅极堆叠层包括依次堆叠的遂穿氧化层、浮栅层、栅介质层以及控制栅层，所述浮栅层包含多个相互电隔离的纳米存储点； 隔离侧墙和隧穿侧墙，分别覆盖于所述遂穿氧化层、浮栅层、栅介质层以及控制栅层两侧的第一侧壁和第二侧壁； 字线栅，设置于所述隔离侧墙侧面； 漏区，设置于所述半导体衬底中，且位于所述字线栅的侧面； 源区，设置于所述隧穿侧墙侧面的半导体衬底中，所述源区上覆盖有绝缘层； 擦除栅，设置于所述隧穿侧墙的侧面，并位于所述绝缘层上以与所述源区隔离； 所述擦除栅的材质为多晶硅，所述擦除栅的顶部形成有凹槽结构，所述凹槽结构中还填充有金属层，所述金属层与所述凹槽结构中的多晶硅形成欧姆接触。
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1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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