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龙图腾网获悉合肥晶合集成电路股份有限公司申请的专利静态随机存取存储器结构及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN121262823B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-05-01发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202511822234.9，技术领域涉及：H10B10/00；该发明授权静态随机存取存储器结构及其制备方法是由周成设计研发完成，并于2025-12-05向国家知识产权局提交的专利申请。

本静态随机存取存储器结构及其制备方法在说明书摘要公布了：本申请提供了一种静态随机存取存储器结构及其制备方法，静态随机存取存储器结构包括：衬底；隔离结构，隔离结构在衬底上定义出多个有源区；共用字线的至少两个静态随机存取存储器单元，包括至少两个反相器组和至少两个传输晶体管组；每个反相器组包括交叉耦合的两个反相器，每个反相器由上拉晶体管与下拉晶体管在同一有源区沿衬底的垂直方向堆叠形成；多个有源区中包括由不同的静态随机存取存储器单元共用的至少两个公共区域；每个传输晶体管组分别由两个传输晶体管在同一公共区域沿衬底的垂直方向堆叠形成，位于同一公共区域的两个传输晶体管分别属于不同的静态随机存取存储器单元。如此，使得耦合的两个静态随机存取存储器节约了50%的面积。

本发明授权静态随机存取存储器结构及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种静态随机存取存储器结构，其特征在于，包括： 衬底； 隔离结构，所述隔离结构在所述衬底上定义出多个有源区； 共用字线的至少两个静态随机存取存储器单元，包括至少两个反相器组和至少两个传输晶体管组；所述至少两个静态随机存取存储器单元包括第一静态随机存取存储器单元和第二静态随机存取存储器单元； 其中，每个反相器组包括交叉耦合的两个反相器，每个反相器由上拉晶体管与下拉晶体管在同一有源区沿衬底的垂直方向堆叠形成；所述至少两个传输晶体管组位于所述至少两个反相器组之间；每个反相器和每个传输晶体管组均包括沿所述衬底的垂直方向排布的至少两层沟道掺杂层，以及沿所述衬底的垂直方向穿过所述至少两层沟道掺杂层的公共栅极；所述至少两层沟道掺杂层分别与所述公共栅极形成传输晶体管组中的两个传输晶体管或反相器中的上拉晶体管与下拉晶体管； 在每个所述反相器中，所述上拉晶体管包括第一数量层的所述沟道掺杂层，所述下拉晶体管包括第二数量层的所述沟道掺杂层；在每个传输晶体管组中，传输晶体管包括第三数量层的沟道掺杂层；所述第一数量小于所述第三数量，且所述第三数量小于第二数量；所述第一数量与所述第二数量之和，等于所述第三数量的两倍；每层所述沟道掺杂层的厚度用于作为各个晶体管的沟道宽长比的调节参数； 所述多个有源区中包括由不同的静态随机存取存储器单元共用的至少两个公共区域；其中，所述至少两个公共区域包括第一公共区域和第二公共区域；每个传输晶体管组分别由两个传输晶体管在同一公共区域沿衬底的垂直方向堆叠形成，位于同一公共区域的所述两个传输晶体管分别属于不同的静态随机存取存储器单元；所述两个传输晶体管组包括位于所述第一公共区域的第一传输晶体管组和位于所述第二公共区域的第二传输晶体管组；所述第一传输晶体管组包括属于第一静态随机存取存储器单元的第一传输晶体管，和属于第二静态随机存取存储器单元的第二传输晶体管；所述第一传输晶体管堆叠在所述第二传输晶体管上；所述第二传输晶体管组包括属于第一静态随机存取存储器单元的第三传输晶体管，和属于第二静态随机存取存储器单元的第四传输晶体管；所述第三传输晶体管堆叠在所述第四传输晶体管上；所述隔离结构包括位于所述反相器组与所述传输晶体管组之间的第一隔离层，和位于所述第一传输晶体管组与所述第二传输晶体管组之间的第二隔离层，所述第二隔离层延伸至所述反相器组中的不同反相器之间；所述第一传输晶体管组与所述第二传输晶体管组，以及所述反相器组中的不同反相器均相对于所述第二隔离层形成对称布局。

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