台湾积体电路制造股份有限公司陈宪伟获国家专利权
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龙图腾网获悉台湾积体电路制造股份有限公司申请的专利半导体封装件和形成半导体封装件的方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114464576B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-05-01发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210028052.4，技术领域涉及：H10W90/20；该发明授权半导体封装件和形成半导体封装件的方法是由陈宪伟;陈明发设计研发完成，并于2022-01-11向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体封装件和形成半导体封装件的方法在说明书摘要公布了：半导体封装件包括第一管芯、第二管芯、密封材料和再分布结构。第二管芯设置在第一管芯上方并且包括接合至第一管芯的多个接合焊盘、延伸穿过第二管芯的衬底的多个贯通孔以及多个对准标记，其中多个对准标记中的相邻两个对准标记之间的节距不同于多个贯通孔中的相邻两个贯通孔之间的节距。密封材料设置在第一管芯上方并且至少横向密封第二管芯。再分布结构设置在第二管芯和密封材料上方并且电连接至多个贯通孔。本发明的实施例还涉及形成半导体封装件的方法。
本发明授权半导体封装件和形成半导体封装件的方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体封装件，包括： 第一管芯，其中，所述第一管芯包括第一接合焊盘； 第二管芯，设置在所述第一管芯上方，其中，所述第二管芯包括第二接合焊盘，其中，所述第一接合焊盘接合至所述第二接合焊盘，其中，所述第二管芯包括衬底和延伸穿过所述衬底的多个贯通孔，其中，所述第二管芯包括多个对准标记，其中，所述多个对准标记中的相邻两个对准标记之间的节距不同于所述多个贯通孔中的相邻两个贯通孔之间的节距； 密封材料，设置在所述第一管芯上方，所述密封材料横向密封所述第二管芯；以及 再分布结构，设置在所述第二管芯和所述密封材料上方，其中，所述再分布结构包括导电部件，其中，所述导电部件电连接至所述多个贯通孔中的相应贯通孔； 其中，所述第二管芯还包括设置在所述第二管芯的所述衬底和所述再分布结构之间的隔离层，其中，所述多个对准标记设置在所述隔离层中并且自所述第二管芯的背离所述第一管芯的上表面延伸而出，并且，所述多个对准标记直接接触所述再分布结构。
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