琳得科株式会社阿久津高志获国家专利权
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龙图腾网获悉琳得科株式会社申请的专利半导体装置的制造方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114402419B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-05-01发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202080063506.0，技术领域涉及：H10P54/92；该发明授权半导体装置的制造方法是由阿久津高志设计研发完成，并于2020-09-10向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体装置的制造方法在说明书摘要公布了：本发明涉及半导体装置的制造方法，其是使用粘合片的半导体装置的制造方法，所述粘合片依次具有含有热膨胀性粒子的粘合剂层X1、基材Y、及通过照射能量射线而固化从而发生粘合力降低的粘合剂层X2，且该制造方法包括特定的工序1～5。
本发明授权半导体装置的制造方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体装置的制造方法，其是使用粘合片的半导体装置的制造方法，所述粘合片依次具有含有热膨胀性粒子的粘合剂层X1、基材Y、及通过照射能量射线而固化从而发生粘合力降低的粘合剂层X2， 所述热膨胀性粒子的膨胀起始温度t为50~100℃， 该方法包括下述工序1~5： 工序1：将加工对象物粘贴于所述粘合片所具有的粘合剂层X2、将支撑体粘贴于所述粘合片所具有的粘合剂层X1的工序； 工序2：对所述加工对象物实施选自磨削处理及单片化处理中的一种以上加工处理的工序； 工序3：在实施了所述加工处理后的加工对象物的与粘合剂层X2相反侧的面粘贴热固性膜的工序； 工序4：将所述粘合片加热至所述热膨胀性粒子的膨胀起始温度t以上且110℃以下而将粘合剂层X1和所述支撑体分离的工序； 工序5：对粘合剂层X2照射能量射线而将粘合剂层X2和所述加工对象物分离的工序， 在上述工序5之后，通过使上述粘贴了热固性膜的加工对象物的所述热固性膜热固化而使所述加工对象物和基板粘固。
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