深圳市堃联技术有限公司覃秀妹获国家专利权
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龙图腾网获悉深圳市堃联技术有限公司申请的专利一种抗干扰能力强的高隔离度光耦器件获国家实用新型专利权，本实用新型专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN224178527U 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-04-28发布的实用新型授权公告中获悉：该实用新型的专利申请号/专利号为：202521133863.6，技术领域涉及：H10F55/20；该实用新型一种抗干扰能力强的高隔离度光耦器件是由覃秀妹;张淑敏设计研发完成，并于2025-06-05向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种抗干扰能力强的高隔离度光耦器件在说明书摘要公布了：本实用新型公开了一种抗干扰能力强的高隔离度光耦器件，涉及光耦器件技术领域，包括封装外壳，所述封装外壳采用金属材质制成，所述封装外壳的内壁上涂覆有一层吸波材料，所述吸波材料为铁氧体吸波材料，所述封装外壳内部的两侧分别设置有发光二极管和光电探测器，所述发光二极管和光电探测器之间通过多层隔离结构进行隔离，所述多层隔离结构为第一层绝缘隔离层和第二层绝缘隔离层；本实用新型采用金属封装外壳并涂覆吸波材料，能够有效阻挡和吸收外部电磁干扰，且引脚表面镀有抗干扰涂层；光学透镜的设置提高了光信号的稳定性，发光二极管和光电探测器之间采用多层隔离结构，显著提高了二者之间的电气隔离度，减少了输入和输出之间的电气耦合。
本实用新型一种抗干扰能力强的高隔离度光耦器件在权利要求书中公布了：1.一种抗干扰能力强的高隔离度光耦器件，包括封装外壳1，其特征在于，所述封装外壳1采用金属材质制成，整体呈长方体形状，所述封装外壳1的内壁上涂覆有一层吸波材料，所述吸波材料为铁氧体吸波材料13，所述封装外壳1内部的两侧分别设置有发光二极管6和光电探测器7，所述发光二极管6和光电探测器7之间通过多层隔离结构进行隔离，所述多层隔离结构为第一层绝缘隔离层8和第二层绝缘隔离层9。
如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人深圳市堃联技术有限公司，其通讯地址为：518000 广东省深圳市龙岗区坂田街道南坑社区雅宝路1号星河WORLDF栋大厦1501、1508；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。
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