苏州辰华半导体技术有限公司郭炳磊获国家专利权
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龙图腾网获悉苏州辰华半导体技术有限公司申请的专利一种物理气相沉积设备的屏蔽环及物理气相沉积设备获国家实用新型专利权，本实用新型专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN224172838U 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-04-28发布的实用新型授权公告中获悉：该实用新型的专利申请号/专利号为：202423207738.3，技术领域涉及：C23C14/34；该实用新型一种物理气相沉积设备的屏蔽环及物理气相沉积设备是由郭炳磊;陈卫军;刘岩军设计研发完成，并于2024-04-10向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种物理气相沉积设备的屏蔽环及物理气相沉积设备在说明书摘要公布了：本实用新型及半导体技术领域，特别是涉及一种物理气相沉积设备的屏蔽环及物理气相沉积设备，所述屏蔽环包括：屏蔽环本体，屏蔽环是一体成型，所述屏蔽环上设有涂层区；以及环体底座，连接于所述屏蔽环本体的底部；其中，所述涂层区沿所述屏蔽环本体的轴向方向上设置，所述涂层区厚度在50um～200um的范围之间。本实用新型可减少对物理气象沉积腔室的杂质污染，具有制造成本低、成型工艺简单的优点，同时，本实用新型还可以改善溅射薄膜的均匀性。
本实用新型一种物理气相沉积设备的屏蔽环及物理气相沉积设备在权利要求书中公布了：1.一种物理气相沉积设备的屏蔽环，其特征在于，包括： 屏蔽环本体，所述屏蔽环是一体成型，所述屏蔽环上设有涂层区；以及 环体底座，连接于所述屏蔽环本体的底部； 其中，所述涂层区沿所述屏蔽环本体的轴向方向上设置，所述涂层区厚度在50um～200um的范围之间。
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