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北京航空航天大学王伟宗获国家专利权

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龙图腾网获悉北京航空航天大学申请的专利霍尔推力器净溅射沉积率测量方法与系统获国家发明授权专利权,本发明授权专利权由国家知识产权局授予,授权公告号为:CN121612732B

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-04-28发布的发明授权授权公告中获悉:该发明授权的专利申请号/专利号为:202610148844.3,技术领域涉及:G01N5/00;该发明授权霍尔推力器净溅射沉积率测量方法与系统是由王伟宗;苗鹏;余修远;李亦非;张高裕;苏贤;张广川设计研发完成,并于2026-02-03向国家知识产权局提交的专利申请。

霍尔推力器净溅射沉积率测量方法与系统在说明书摘要公布了:本发明提供了一种霍尔推力器净溅射沉积率测量方法与系统,涉及推力器技术领域,包括:获取第一测片对应的第一初始质量,和第二测片对应的第二初始质量,和放置于霍尔推力器相同高度处的薄壁环筒对应的环筒初始质量;在基于第一测量条件运行霍尔推力器的情况下,获取第一测片对应的第一最终质量和薄壁环筒对应的环筒最终质量;在基于第二测量条件运行霍尔推力器的情况下,获取第二测片对应的第二最终质量;基于各初始质量和各最终质量确定霍尔推力器对应的净溅射沉积率测量结果。本发明可以在简化净溅射沉积量的测量过程及其所需的设备需求的同时,提升净溅射沉积量的测量精度。

本发明授权霍尔推力器净溅射沉积率测量方法与系统在权利要求书中公布了:1.一种霍尔推力器净溅射沉积率测量方法,其特征在于,霍尔推力器的放电通道的内壁、外壁均开设有多个安装槽,分别记为内壁安装槽和外壁安装槽,采用周向有限角度的局部开槽设计,在通道壁面开设的是独立的扇形凹槽,其角度小于180°,在任一轴向截面均不构成封闭环,所述方法包括: 获取第一测片对应的第一初始质量,和第二测片对应的第二初始质量,和放置于所述霍尔推力器相同高度处的薄壁环筒对应的环筒初始质量;其中,所述第一测片是采用具备高惰性且高溅射特性的材料制成的测片,所述第二测片是采用所述放电通道的壁面材料制成的测片,测片为扇形薄片结构,可完全嵌入通道内外壁面提前开的凹槽中,所述安装槽的尺寸经过精密设计,以确保测片嵌入后其表面与通道内壁面平齐; 在基于第一测量条件运行所述霍尔推力器的情况下,获取所述第一测片对应的第一最终质量和所述薄壁环筒对应的环筒最终质量;其中,所述第一测量条件为:所述霍尔推力器中待测的轴向位置处的所述安装槽内嵌入有第一测片,所述霍尔推力器中其他的所述安装槽内嵌入有第二测片;将称量后的第一测片嵌入推力器通道内壁预先加工好的内壁安装槽内,或者将称量后的第一测片嵌入推力器通道外壁预先加工好的外壁安装槽内; 在基于第二测量条件运行所述霍尔推力器的情况下,获取所述第二测片对应的第二最终质量;其中,所述第二测量条件为:所述霍尔推力器中待测的轴向位置处的所述安装槽及其他的所述安装槽内均嵌入有所述第二测片; 基于所述第一测片对应的所述第一初始质量和所述第一最终质量、所述第二测片对应的所述第二初始质量和所述第二最终质量、所述薄壁环筒对应的所述环筒初始质量和所述环筒最终质量,确定所述霍尔推力器对应的净溅射沉积率测量结果。

如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术,可联系本专利的申请人或专利权人北京航空航天大学,其通讯地址为:100089 北京市海淀区学院路37号;或者联系龙图腾网官方客服,联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。

以上内容由龙图腾AI智能生成。

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