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龙图腾网获悉合肥晶合集成电路股份有限公司申请的专利掩膜图案的生成方法、掩膜、半导体结构及其制造方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN121386285B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-04-28发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202511947115.6，技术领域涉及：G03F1/76；该发明授权掩膜图案的生成方法、掩膜、半导体结构及其制造方法是由叶伟设计研发完成，并于2025-12-23向国家知识产权局提交的专利申请。

本掩膜图案的生成方法、掩膜、半导体结构及其制造方法在说明书摘要公布了：本申请提供了一种掩膜图案的生成方法、掩膜、半导体结构及其制造方法。该掩膜图案的生成方法包括：获取包括切割道区域的掩膜图案模版和包括图形图案的参考标记图案；参考标记图案被划分为多个参考标记区域；利用辅助图形提取位于每个参考标记区域内的部分图形图案的轮廓，得到多个辅助标记图案，将其布局于切割道区域内；分别截取位于每个参考标记区域内的部分图形图案，得到多个局部标记图案，将其布局于对应的辅助标记图案在切割道区域内的位置，得到目标掩膜图案，使得被转移至半导体结构的多个局部标记图案在半导体结构的切割道内组合成与图形图案相匹配的对位标记图案。通过本申请实施例，提升了封装工艺处理过程中的对位精度。

本发明授权掩膜图案的生成方法、掩膜、半导体结构及其制造方法在权利要求书中公布了：1.一种掩膜图案的生成方法，其特征在于，应用于掩膜图案设计系统；所述掩膜图案的生成方法包括： 获取掩膜图案模版和参考标记图案；其中，所述掩膜图案模版包括芯片区域和围绕所述芯片区域的切割道区域；所述参考标记图案包括图形图案和背景图案；所述图形图案包括轮廓形状相同的第一子图形图案和第二子图形图案；所述第一子图形图案和所述第二子图形图案均沿相互垂直的第一方向和第二方向分别延伸；其中，所述第一子图形图案沿所述第一方向延伸的长度小于所述第二子图形图案沿所述第一方向延伸的长度，且所述第一子图形图案沿所述第二方向延伸的长度小于所述第二子图形图案沿所述第二方向延伸的长度；所述参考标记图案被划分为多个互不重叠的参考标记区域；每个所述参考标记区域均包含部分所述图形图案和部分所述背景图案； 利用辅助图形提取位于每个所述参考标记区域内的部分所述图形图案的轮廓，得到多个辅助标记图案，包括：利用至少两个相互紧邻设置的辅助图形提取位于每个所述参考标记区域内的部分所述第二子图形图案的轮廓，得到多个辅助标记图案；其中，所述辅助图形为矩形；并将多个所述辅助标记图案布局于所述切割道区域内；其中，所述辅助标记图案的数量与所述参考标记区域的数量相同； 分别截取位于每个所述参考标记区域内的部分所述图形图案，得到多个局部标记图案，并将每个所述局部标记图案布局于对应的辅助标记图案在所述切割道区域内的位置，得到目标掩膜图案，使得在根据所述目标掩膜图案制造半导体结构的过程中，被转移至所述半导体结构的多个所述局部标记图案在所述半导体结构的切割道内组合成与所述图形图案相匹配的对位标记图案。

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