买专利卖专利找龙图腾，真高效！ 查专利查商标用IPTOP,全免费！专利年费监控用IP管家,真方便！

龙图腾网获悉深圳市美浦森半导体有限公司申请的专利一种可变电容的SGT晶体管的制作方法和SGT晶体管获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN121368147B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-04-28发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202511805872.X，技术领域涉及：H10D30/01；该发明授权一种可变电容的SGT晶体管的制作方法和SGT晶体管是由蔡远飞;何昌设计研发完成，并于2025-12-03向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种可变电容的SGT晶体管的制作方法和SGT晶体管在说明书摘要公布了：本申请涉及半导体技术，公开了一种可变电容的SGT晶体管的制作方法和SGT晶体管，包括：在主体上表面制作介质层后，在主体不同布局位置处分别制作相应的源极接触孔和栅极接触孔；在主体上表面制作正面金属层，并刻蚀正面金属层，分别形成连通源极接触孔的源极、连通主栅接触孔的主栅极、连通副栅接触孔的副栅极；在主体背面制作背面金属层作为漏极，得到SGT晶体管；其中，主栅极和副栅极相接、副栅极与源极断开时，SGT晶体管具有第一电容值；主栅极和副栅极断开、副栅极与源极相接时，SGT晶体管具有第二电容值；第一电容值大于第二电容值。本申请旨在实现可变电容的SGT晶体管的制作，以适配不同应用场景对输入电容的要求。

本发明授权一种可变电容的SGT晶体管的制作方法和SGT晶体管在权利要求书中公布了：1.一种可变电容的SGT晶体管的制作方法，其特征在于，包括： 提供上覆氧化层的、带多个沟槽的衬底；其中，各沟槽内设有第一多晶硅和设于第一多晶硅之上的第二多晶硅，第一多晶硅和第二多晶硅之间有氧化层相隔，第一多晶硅、第二多晶硅和沟槽内壁之间有氧化层相隔；在衬底上形成第一氧化层后，刻蚀第一氧化层和部分衬底，形成多个沟槽；在各沟槽内表面生长第二氧化层后，填充第一多晶硅，并使第一多晶硅的顶部低于沟槽顶部；去除第一氧化层，以及去除第二氧化层的顶部部分，使第一多晶硅的顶部部分突出第二氧化层；在主体上表面生长第三氧化层，并使受第三氧化层包裹的第一多晶硅的顶部部分形成凸起结构；在各沟槽内的第三氧化层之上填充第二多晶硅，并使第二多晶硅的顶部低于沟槽顶部，以及使第二多晶硅嵌套包绕所述凸起结构；第一多晶硅作为屏蔽栅多晶硅，第二多晶硅则作为栅多晶硅； 在各沟槽的邻侧形成层叠设置的、掺杂类型不同的第一掺杂区和第二掺杂区； 在主体上表面制作介质层后，在主体不同布局位置处分别制作相应的源极接触孔和栅极接触孔；其中，源极接触孔用于裸露出第一掺杂区；栅极接触孔用于裸露出第二多晶硅，且栅极接触孔还分为主栅接触孔和副栅接触孔，主栅接触孔和副栅接触孔分处不同的沟槽上方； 在主体上表面制作正面金属层，并刻蚀正面金属层，分别形成连通源极接触孔的源极、连通主栅接触孔的主栅极、连通副栅接触孔的副栅极； 在主体背面制作背面金属层作为漏极，得到SGT晶体管；其中，主栅极和副栅极相接、副栅极与源极断开时，SGT晶体管具有第一电容值；主栅极和副栅极断开、副栅极与源极相接时，SGT晶体管具有第二电容值；第一电容值大于第二电容值； 其中，在制作第一多晶硅的过程中，使用薄膜工艺沉积7000~10000Å的多晶硅，并对多晶硅进行刻蚀，以去除沟槽以上的多晶硅，以及使各沟槽内的多晶硅的顶部低于沟槽顶部，得到第一多晶硅；在制作第二多晶硅的过程中，使用薄膜工艺沉积5000~8000Å的多晶硅，并对多晶硅进行刻蚀，以去除沟槽以上的多晶硅，并使各沟槽内的多晶硅的顶部低于沟槽顶部，得到第二多晶硅； 所述沟槽的深度为5~6μm；所述第一多晶硅的顶部与所述沟槽顶部的高度差为1.0~1.4μm；所述第二多晶硅的顶部与所述沟槽顶部的高度差为0.1um~0.18um。

如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人深圳市美浦森半导体有限公司，其通讯地址为：518000 广东省深圳市宝安区西乡街道劳动社区西乡大道和宝源路交汇处中央大道D座16A；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。

以上内容由龙图腾AI智能生成。