苏州焜原光电有限公司周彬浩获国家专利权
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龙图腾网获悉苏州焜原光电有限公司申请的专利砷化铟/锑化铝超晶格应变补偿生长方法及超晶格结构获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN121358048B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-04-28发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202511928746.3，技术领域涉及：H10F71/00；该发明授权砷化铟/锑化铝超晶格应变补偿生长方法及超晶格结构是由周彬浩;陈意桥;傅祥良;于天设计研发完成，并于2025-12-19向国家知识产权局提交的专利申请。
本砷化铟/锑化铝超晶格应变补偿生长方法及超晶格结构在说明书摘要公布了：本发明涉及半导体器件技术领域，具体提供了一种砷化铟锑化铝超晶格应变补偿生长方法及超晶格结构，该方法包括：在目标衬底上依次生长第一厚度的砷化铟层、第二厚度的InAs1‑xSbx应变补偿层、第三厚度的锑化铝势垒层、上述InAs1‑xSbx应变补偿层，得到周期单元，其中，锑组分x满足0.1≤x≤0.4，第二厚度大于等于0.2nm且小于等于2nm，第一厚度、锑组分x、第二厚度和第三厚度满足平衡条件，平衡条件为周期单元内的张应变总量等于压应变总量；在周期单元上依次生长预设数量的周期单元，得到砷化铟锑化铝超晶格。以解决相关技术中难以在对砷化铟锑化铝超晶格进行应变补偿后保证器件性能的问题。
本发明授权砷化铟/锑化铝超晶格应变补偿生长方法及超晶格结构在权利要求书中公布了：1.一种砷化铟锑化铝超晶格应变补偿生长方法，其特征在于，包括： 在目标衬底上生长一层第一厚度的砷化铟层； 在所述砷化铟层上生长一层第二厚度的InAs1-xSbx应变补偿层，其中，所述InAs1-xSbx应变补偿层的锑组分x满足0.1≤x≤0.4，所述第二厚度大于等于0.2nm且小于等于2nm； 在所述InAs1-xSbx应变补偿层上生长一层第三厚度的锑化铝势垒层； 在所述锑化铝势垒层上生长一层所述InAs1-xSbx应变补偿层，得到周期单元，其中，所述周期单元为由依次连接的所述砷化铟层、所述InAs1-xSbx应变补偿层、所述锑化铝势垒层和所述InAs1-xSbx应变补偿层组成的超晶格结构，所述第一厚度、所述锑组分x、所述第二厚度和所述第三厚度满足平衡条件，所述平衡条件为所述周期单元内的张应变总量等于压应变总量； 在所述周期单元上依次生长预设数量的所述周期单元，得到砷化铟锑化铝超晶格。
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