买专利卖专利找龙图腾，真高效！ 查专利查商标用IPTOP,全免费！专利年费监控用IP管家,真方便！

龙图腾网获悉上海超硅半导体股份有限公司申请的专利绝缘体上半导体的制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN121240531B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-04-28发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202511793891.5，技术领域涉及：H10D86/01；该发明授权绝缘体上半导体的制备方法是由陈猛;叶斐;张晨膑设计研发完成，并于2025-12-01向国家知识产权局提交的专利申请。

本绝缘体上半导体的制备方法在说明书摘要公布了：本公开提供一种绝缘体上半导体的制备方法。该制备方法包括在反应室中提供第一供体作为衬底层，在反应室满足预设环境条件的情况下，在第一供体的表面形成富陷阱层；提供第二供体作为器件层，在第二供体的表面形成埋氧层；以及将富陷阱层与埋氧层结合得到绝缘体上半导体，在反应室满足预设环境条件的情况下，在第一供体的表面形成富陷阱层，包括：在反应室满足预设环境条件的情况下，向反应室中注入硅源前驱体在第一供体表面生长得到富陷阱层。本公开的实施例能够直接在衬底层上生长富陷阱层，从而不需要通过介电层才生长富陷阱层。

本发明授权绝缘体上半导体的制备方法在权利要求书中公布了：1.一种绝缘体上半导体的制备方法，其特征在于，所述方法包括： 在反应室中提供第一供体作为衬底层，在所述反应室满足预设环境条件的情况下，在所述第一供体的表面形成富陷阱层，所述衬底层与所述富陷阱层直接接触； 提供第二供体作为器件层，在所述第二供体的表面形成埋氧层；以及 将所述富陷阱层与所述埋氧层结合得到所述绝缘体上半导体， 其中，在所述反应室满足所述预设环境条件的情况下，在所述第一供体的表面形成所述富陷阱层之前，所述方法还包括： 在所述反应室为外延反应器的情况下，在所述外延反应器的温度为800℃-1000℃范围内向所述外延反应器通入惰性气体，使得所述惰性气体与所述衬底层表面的自然氧化层反应，以去掉所述自然氧化层并且清洗所述衬底层；或者在所述反应室为多晶硅背面密封炉的情况下，在所述多晶硅背面密封炉的温度为300℃-800℃的条件下，向所述多晶硅背面密封炉通入惰性气体，使得所述惰性气体与述衬底层表面的自然氧化层反应，以去掉所述自然氧化层并且清洗所述衬底层， 在对所述衬底层清洗之后，控制所述反应室满足所述预设环境条件，向所述反应室中注入硅源前驱体在所述第一供体表面直接生长得到所述富陷阱层，以取消介电层， 其中，所述反应室包括外延反应器，所述反应室满足所述预设环境条件包括所述外延反应器的温度在800℃-950℃范围内；或者所述反应室包括多晶硅背面密封炉，所述反应室满足所述预设环境条件包括所述多晶硅背面密封炉在600℃-800℃的温度范围内以及0.2MPa~0.5MPa的压力下。

如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人上海超硅半导体股份有限公司，其通讯地址为：201616 上海市松江区鼎松路150弄1-15号；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。

以上内容由龙图腾AI智能生成。