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龙图腾网获悉清华大学申请的专利半导体器件及电子装置获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN121126894B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-04-28发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202511652971.9，技术领域涉及：H10F30/26；该发明授权半导体器件及电子装置是由余占清;吴锦鹏;曾嵘;陈政宇;时家旭;任春频;刘佳鹏;赵彪;屈鲁;庄池杰;崔彬设计研发完成，并于2025-11-12向国家知识产权局提交的专利申请。

本半导体器件及电子装置在说明书摘要公布了：本申请公开了一种半导体器件及电子装置，半导体器件包括依次层叠设置的第一电极、有源区以及第二电极，有源区包括沿远离第一电极方向层叠设置的第一掺杂结构、第二掺杂结构及第三掺杂结构，第一掺杂结构与第三掺杂结构为第一导电类型掺杂，第二掺杂结构为第二导电类型掺杂，第二掺杂结构包括漂移层；其中，第一电极与第二电极中的至少一者开设有沿自身厚度方向贯穿设置的避让窗口，有源区能够通过避让窗口接收光线形成光生载流子。根据本申请实施例，半导体器件能够实现光触发的雪崩击穿，通过调整电压与外界光线的触发关系可以实现半导体器件在电子装置内的主动降级保护。

本发明授权半导体器件及电子装置在权利要求书中公布了：1.一种半导体器件，其特征在于，包括依次层叠设置的第一电极、有源区以及第二电极，所述第一电极及所述第二电极均与所述有源区接触设置，所述有源区包括沿远离所述第一电极方向层叠设置的第一掺杂结构、第二掺杂结构及第三掺杂结构，所述第一掺杂结构与所述第三掺杂结构为第一导电类型掺杂，所述第二掺杂结构为第二导电类型掺杂，所述第二掺杂结构包括漂移层； 其中，所述第一电极与所述第二电极中的至少一者开设有沿自身厚度方向贯穿设置的避让窗口，所述有源区能够通过所述避让窗口接收光线形成光生载流子，所述有源区还包括设置于所述漂移层在层叠方向上其中一侧的调控部，所述调控部的离子掺杂浓度大于或等于所述漂移层离子掺杂浓度，所述避让窗口在垂直于层叠方向的平面上的正投影与所述调控部在垂直于层叠方向的平面上的正投影至少部分交叠； 所述半导体器件还包括第三电极，所述第一电极为集电极、所述第二电极为发射极、所述第三电极为栅极，或者，所述第一电极为阳极、所述第二电极为门极、所述第三电极为阴极。

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