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龙图腾网获悉深圳市敏创电子有限公司申请的专利一种热敏电阻芯片的制造工艺优化方法及系统获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN121115693B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-04-28发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202511297326.X，技术领域涉及：G05B19/418；该发明授权一种热敏电阻芯片的制造工艺优化方法及系统是由肖懂;唐羽林;李芝立设计研发完成，并于2025-09-11向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种热敏电阻芯片的制造工艺优化方法及系统在说明书摘要公布了：本发明涉及电阻芯片技术领域，特别是一种热敏电阻芯片的制造工艺优化方法及系统。该方法通过对工艺参数动态流进行多尺度工艺熵分析，解析关键工序间的耦合强度，并识别出存在强非单调关联的工艺参数集群及其的工艺系统熵增路径，以构建协同稳定域边界模型；根据实时获取的工艺参数动态流中提取的瞬态波动特征，结合协同稳定域边界模型，判定超出协同稳定操作区间的参数子集作为漂移参数集群，执行优化指令集进行试制，同步采集工艺参数集群的协同轨迹数据，通过计算工艺系统熵变率验证协同稳定性，并反馈至所述协同稳定域边界模型进行边界韧性强化，实现烧结梯度与电极压力等关联参数的动态协同收敛，提升产品一致性和良率稳定性。

本发明授权一种热敏电阻芯片的制造工艺优化方法及系统在权利要求书中公布了：1.一种热敏电阻芯片的制造工艺优化方法，其特征在于，包括以下步骤： S1：实时获取热敏电阻芯片制造全流程中各关键工序的工艺参数动态流，包括设定值、实际值及其瞬态波动特征； S2：对所述工艺参数动态流进行多尺度工艺熵分析，解析关键工序间的耦合强度，并识别出存在强非单调关联的工艺参数集群及所述工艺参数集群主导的工艺系统熵增路径； S3：基于所述工艺参数集群及其工艺系统熵增路径，在多维工艺参数空间中构建抑制工艺系统熵增的协同稳定域边界模型，用于表征参数集群的协同稳定操作区间； S4：根据实时获取的工艺参数动态流中提取的瞬态波动特征，结合所述协同稳定域边界模型，判定超出协同稳定操作区间的参数子集作为漂移参数集群，并生成将所述漂移参数集群收敛至协同稳定操作区间的优化指令集； S5：执行所述优化指令集进行试制，同步采集工艺参数集群的协同轨迹数据，通过计算工艺系统熵变率验证协同稳定性，并反馈至所述协同稳定域边界模型进行边界韧性强化； 其中，所述S3具体为： 针对每个工艺参数集群对应的工艺系统熵增路径，提取相应有向加权图中具有最大入度与出度之和的关键传递节点，所述关键传递节点对应特定工序阶段的多尺度时域特征； 将所述关键传递节点所关联的工艺参数集群内所有工艺参数的实际物理量测量值序列及其瞬态波动特征，按工序时序顺序组织为多维时间序列；计算所述多维序列在滑动时间窗口内的高阶互累积量，生成表征参数间非线性耦合强度的参数耦合张量； 对所述参数耦合张量进行非负张量分解，提取其主导的载荷因子向量作为主协同向量；所述主协同向量表征参数集群在稳定状态下多维波动特征的共变模式； 以所述主协同向量为法向量，在由集群参数实际值构成的多维空间中定义参考超平面；计算实时工艺参数动态流中各数据点到所述超平面的欧氏投影距离，结合对应时刻的瞬态波动特征，通过核密度估计确定投影距离分布的韧性裕度阈值区间； 将所述韧性裕度阈值区间映射回原始工艺参数空间，并拟合包围相应映射点集的凸包络边界；所述凸包络边界即为表征参数集群协同稳定操作区间的协同稳定域边界模型，其几何形态由主协同向量的共变模式及动态韧性裕度阈值共同决定。

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