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龙图腾网获悉合肥晶合集成电路股份有限公司申请的专利半导体结构的制造方法和半导体结构获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN120916477B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-04-28发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202511448587.7，技术领域涉及：H10D84/01；该发明授权半导体结构的制造方法和半导体结构是由朱会超;刘文彬;蔡富吉;王文轩;董硕设计研发完成，并于2025-10-11向国家知识产权局提交的专利申请。

本半导体结构的制造方法和半导体结构在说明书摘要公布了：本申请实施例提供了一种半导体结构的制造方法和半导体结构，该方法包括：提供包括衬底和形成于衬底上的至少两个栅极过渡结构的基底；栅极过渡结构包括栅极和栅极掩膜层，且具有栅极延伸方向和垂直于栅极延伸方向的栅极宽度方向；不同栅极过渡结构的宽度不同；不同栅极过渡结构远离衬底的表面到衬底的距离不同；在基底表面形成第一平坦化功能层，得到至少部分栅极掩膜层暴露的过渡基底；在过渡基底表面形成与暴露出的栅极掩膜层材料相同的第二平坦化功能层；去除第二平坦化功能层和至少部分栅极掩膜层，得到不同栅极结构远离衬底的表面到所述衬底的距离相同的半导体结构。通过本申请实施例，简化了消除不同宽度栅极之间高度差的工艺过程。

本发明授权半导体结构的制造方法和半导体结构在权利要求书中公布了：1.一种半导体结构的制造方法，其特征在于，包括： 提供基底；其中，所述基底包括衬底和形成于所述衬底上的至少两个栅极过渡结构；所述栅极过渡结构包括栅极、栅极掩膜层和形成于所述栅极和所述栅极掩膜层侧面的栅极过渡侧墙；所述栅极过渡结构具有栅极延伸方向和垂直于所述栅极延伸方向的栅极宽度方向；不同所述栅极过渡结构沿所述栅极宽度方向的宽度不同；不同所述栅极过渡结构远离所述衬底的表面到所述衬底的距离不同；以所述栅极延伸方向为厚度方向，所述栅极掩膜层沿所述厚度方向的厚度与所述栅极过渡结构沿所述栅极宽度方向的宽度正相关；所述栅极掩膜层包括至少两层子栅极掩膜层； 在所述基底表面形成第一平坦化功能层，得到过渡基底，包括：在所述基底表面依次形成初始蚀刻停止层和初始介电层；减薄所述初始介电层，形成层间介电层；去除部分所述初始蚀刻停止层，形成所述蚀刻停止层，得到所述过渡基底；其中，所述第一平坦化功能层包括蚀刻停止层和层间介电层；去除部分所述初始蚀刻停止层，包括：利用蚀刻工艺选择性去除所述初始蚀刻停止层，且保留所述栅极过渡侧墙，直至所述至少两个栅极过渡结构的至少部分栅极掩膜层暴露； 在所述过渡基底表面形成第二平坦化功能层；其中，所述第二平坦化功能层与暴露出的所述栅极掩膜层的材料相同； 利用终点检测研磨工艺，以接近所述衬底的子栅极掩膜层远离所述衬底的表面为检测终点，在一道研磨工序中去除所述第二平坦化功能层、部分所述第一平坦化功能层以及与所述第二平坦化功能层材料相同的子栅极掩膜层，得到所述半导体结构；其中，所述半导体结构包括形成于所述衬底上的至少两个栅极结构，不同所述栅极结构远离所述衬底的表面到所述衬底的距离相同。

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