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龙图腾网获悉江苏鑫康微电子科技有限公司申请的专利具有动态偏置电流的高电源抑制比低压差线性稳压器电路获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN120386418B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-04-28发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202510675067.3，技术领域涉及：G05F1/56；该发明授权具有动态偏置电流的高电源抑制比低压差线性稳压器电路是由李兴;陈阳;李鹏飞设计研发完成，并于2025-05-23向国家知识产权局提交的专利申请。

本具有动态偏置电流的高电源抑制比低压差线性稳压器电路在说明书摘要公布了：本申请涉及模拟集成电路设计领域，公开了一种具有动态偏置电流的高电源抑制比低压差线性稳压器电路，包括功率管、二级运放、电压反馈环路、电流反馈环路、Vds匹配环路和RC滤波电路，其特征在于将运放的输入级与第二级及功率管的电源分开，让输入级工作在小纹波的AVDD电压域保证LDO电路在低频段拥有较高的PSRR，第二级和功率管工作在纹波较大的Vin电压域，通过Vds匹配环路和RC滤波电路保证功率管电流的镜像精度，从而改善LDO电路在中高频段的PSRR。

本发明授权具有动态偏置电流的高电源抑制比低压差线性稳压器电路在权利要求书中公布了：1.一种具有动态偏置电流的高电源抑制比低压差线性稳压器电路，其特征在于，包括： 第一功率管MP，其源极接第一电源电压Vin，栅极接运放输出的控制电压，漏极输出负载电压Vout； 第一运放，包括输入级和第二级，所述输入级包括差分输入对，一端接参考电压Vref，另一端接反馈电压Vfb，所述输入级工作电源为第二电源电压AVDD，所述第二级工作电源为所述第一电源电压，其中所述第二电源电压为小纹波电源，所述第一电源电压为纹波较大的电源； 电压反馈环路，用于将所述负载电压分压后的反馈电压反馈至所述第一运放的输入级； 电流反馈环路，包括Vds匹配环路和RC滤波电路，所述Vds匹配环路配置为监测所述第一功率管的漏源电压并控制其电流，所述RC滤波电路包括第一MOS管M8和第一电阻R1，用于改善电流镜像精度； 第一负载，连接至所述第一功率管的漏极； 其中，所述输入级工作在所述第二电源电压电压域以保证低频段高PSRR，所述第二级和所述第一功率管工作在所述第一电源电压电压域，通过所述Vds匹配环路和所述RC滤波电路保证中高频段高PSRR； 所述第一运放的输入级包括： 第四MOS管M1和第五MOS管M2，其源极短接并连接第一电流源I1的负极和第六MOS管M14的漏极，所述第一电流源I1的正极连接所述第二电源电压AVDD； 所述第四MOS管的栅极接所述参考电压，漏极接第七MOS管M3的栅极、漏极和第二电阻R4的左端； 所述第五MOS管的栅极接所述反馈电压，漏极接所述第二电阻的右端、第八MOS管M4的漏极和第九MOS管M5的栅极； 所述第七MOS管的栅极和漏极短接，所述第七MOS管和所述第八MOS管的源极短接并接地； 所述第九MOS管的栅极接所述第二电阻的右端，源极接地，漏极接第十MOS管M10的漏极和第三MOS管M9的栅极； 所述电流反馈环路中： 第二MOS管M7、所述第三MOS管M9和所述第一功率管MP的栅极短接，电流镜像比例为1:1:n，连接至所述第十MOS管M10的漏极并接第三电阻R的下端，所述第三电阻的上端接所述第一电源电压； 所述第二MOS管、所述第三MOS管和所述第一功率管的源极接所述第一电源电压； 所述第二MOS管的漏极接第二电流源I2的负极、第十一MOS管M6的源极和第二运放amp1的负向输入端，所述第二电流源I2的正极连接所述第一电源电压Vin； 所述第三MOS管的漏极接第三电流源I3的负极、所述第十MOS管的源极和第三运放amp2的负向输入端，所述第三电流源I3的正极连接所述第一电源电压Vin； 第十二MOS管M11的漏极和栅极短接，接所述第十一MOS管的漏极和所述第一电阻R1的右端，源极接地； 第十三MOS管M12的栅极接所述第一MOS管M8的栅极和所述第一电阻的左端，源极接地； 第十四MOS管M13的漏极和栅极短接接所述第十三MOS管的漏极，源极接所述第二电源电压； 所述第六MOS管M14和所述第十四MOS管M13的栅极短接，电流镜像比例为k:1，源极接所述第二电源电压，漏极接所述第四MOS管和所述第五MOS管的源极； 所述Vds匹配环路包括： 所述第二运放amp1和所述第三运放amp2，其正向输入端均接所述负载电压； 所述第十一MOS管M6，其源极接所述第二运放的反向输入端并短接所述第二电流源的负极和所述第二MOS管的漏极，漏极接所述第十二MOS管的漏极，栅极接所述第二运放的输出端； 所述第十MOS管M10，其源极接所述第三运放的反向输入端并短接所述第三电流源的负极和所述第三MOS管的漏极，漏极接所述第九MOS管的漏极，栅极接所述第三运放的输出端； 在所述RC滤波电路中： 所述第一MOS管M8的栅极与所述第十三MOS管M12的栅极短接并连接所述第一电阻R1的左端； 所述第一MOS管M8的源极和漏极均接地； 所述第一电阻R1的右端接至所述第十二MOS管M11的栅极。

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