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龙图腾网获悉长江存储科技有限责任公司申请的专利存储器、存储系统以及存储器的操作方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119920285B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-04-28发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202311451239.6，技术领域涉及：G11C16/10；该发明授权存储器、存储系统以及存储器的操作方法是由蒋颂敏;刘红涛;许鹏禹设计研发完成，并于2023-10-31向国家知识产权局提交的专利申请。

本存储器、存储系统以及存储器的操作方法在说明书摘要公布了：本申请实施例公开了一种存储器、存储系统以及存储器的操作方法，属于存储技术领域。在该方法中，对选定存储单元行的存储单元进行ISPP编程之前，先向选定字线提供第一预编程脉冲，以对选定选定存储单元行的第一类存储单元进行预编程。一方面，由于先将第一类存储单元编程到第一目标编程态附近，避免了后续ISPP编程时编程速度太快，因此改善阈值电压分布的+3σ尾巴。另一方面，由于先将第一类存储单元编程到第一目标编程态附近，再进行ISPP编程时，IVS会少很多，因此改善阈值电压分布的‑3σ尾巴。通过将阈值电压分布的+3σ尾巴和‑3σ尾巴进行改善，实现将阈值电压分布的范围缩小，从而达到增加读取窗口的效果。

本发明授权存储器、存储系统以及存储器的操作方法在权利要求书中公布了：1.一种存储器，其特征在于，所述存储器包括： 存储阵列，所述存储阵列包括多个存储单元行； 多个字线，所述多个字线分别耦合到所述多个存储单元行；以及 外围电路，所述外围电路耦合到所述多个字线并且被配置为： 提供第一预编程脉冲到选定字线，以对选定存储单元行的第一类存储单元进行预编程，所述第一类存储单元的目标编程态为第一目标编程态，提供所述第一预编程脉冲后所述第一类存储单元的阈值电压小于第一目标阈值电压，所述第一目标阈值电压为所述第一目标编程态对应的阈值电压； 采用步进编程脉冲ISPP方式提供编程脉冲到所述选定字线，以对所述选定存储单元行的存储单元进行编程； 其中，所述外围电路被配置为： 响应于来自控制器的编程指令，采用所述ISPP方式提供编程脉冲到所述选定字线，以对所述选定存储单元行的存储单元进行第一次编程； 提供所述第一预编程脉冲到所述选定字线，以对所述选定存储单元行的所述第一类存储单元进行预编程； 采用所述ISPP方式提供编程脉冲到所述选定字线，以对所述选定存储单元行的存储单元进行第二次编程； 其中，所述第二次编程后所述选定存储单元行的阈值电压分布中的编程态的数量，大于所述第一次编程后所述选定存储单元行的阈值电压分布中的编程态的数量。

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