西安交通大学杨冠军获国家专利权
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龙图腾网获悉西安交通大学申请的专利一种基于表层含Al合金件表面的小角晶界氧化膜及其制备方法和应用获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119876833B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-04-28发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411343362.0，技术领域涉及：C23C8/10；该发明授权一种基于表层含Al合金件表面的小角晶界氧化膜及其制备方法和应用是由杨冠军;郭凯瑜;孟国辉设计研发完成，并于2024-09-25向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种基于表层含Al合金件表面的小角晶界氧化膜及其制备方法和应用在说明书摘要公布了：本发明公开了一种基于表层含Al合金件表面的小角晶界氧化膜及其制备方法和应用，属于材料表面改性和涂层制备技术领域。本发明通过氧化铝的择优取向形核以及氧化膜增厚处理，使得所获得的氧化膜中的晶粒具有特定的择优取向，晶粒之间的晶界以小角晶界为主导，极大地减缓了氧原子的内扩散，从而提升表层含Al合金件的高温抗氧化性能。本发明解决了表层含Al合金件在高温下氧化过快，提前失效的技术问题。
本发明授权一种基于表层含Al合金件表面的小角晶界氧化膜及其制备方法和应用在权利要求书中公布了：1.一种基于表层含Al合金件表面的小角晶界氧化膜，其特征在于，氧化膜是在一定氧分压条件下，对表层含Al合金件进行热处理，在表层含Al合金件表面呈现小角晶界和致密无贯通孔隙的氧化膜；所述一定氧分压条件包括预氧化处理和氧化膜增厚处理，所述预氧化处理为将表层含Al合金件放在气氛炉中，将炉中气压抽至1Pa-5Pa，填充氧气含量为0.001ppm-0.02ppm的高纯氩气，在900℃～1200℃保温1h～100h，升降温速度为1～20℃h，所述氧化膜增厚处理为重新将炉中气压抽至1Pa-5Pa，填充氧气含量为20ppm-150ppm的高纯氩气，在900℃～1200℃保温1h～100h，升降温速度为1～20℃h。
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