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龙图腾网获悉普冉半导体(上海)股份有限公司申请的专利一种异常Flash芯片的筛选方法、装置、介质及设备获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119864073B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-04-28发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411941229.5，技术领域涉及：G11C29/50；该发明授权一种异常Flash芯片的筛选方法、装置、介质及设备是由秦婷设计研发完成，并于2024-12-26向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种异常Flash芯片的筛选方法、装置、介质及设备在说明书摘要公布了：本发明提出一种异常Flash芯片的筛选方法、装置、介质及设备，对待测芯片进行数据异常电压临界测试，确定待测芯片的临界电压值，其中，待测芯片为待测的Flash芯片；确定临界电压值是否大于电压阈值，其中，电压阈值与待测芯片的负偏置电压的目标档位对应；若大于电压阈值，则确定待测芯片的负偏置电压异常。在无法直接测量负偏置电压的情况下，通过待测芯片的临界电压值从侧面对待测芯片的负偏置电压进行安全评估，从而实现异常Flash芯片的筛选，保障筛选结果的准确性。

本发明授权一种异常Flash芯片的筛选方法、装置、介质及设备在权利要求书中公布了：1.一种异常Flash芯片的筛选方法，其特征在于，所述方法包括： 根据待测芯片的产品标识确定样本芯片的DAC输出值分布数据；其中，样本芯片为与所述待测芯片的工艺相同，且能够直接测量负偏置电压的Flash芯片； 根据第一条件和第二条件，确定所述DAC输出值分布数据对应的减档量；所述第一条件表示根据所述减档量对所述DAC输出值分布数据进行调节，调节后的DAC输出值分布数据中的最大值未超出调节前的DAC输出值分布数据中的最大值，所述第二条件表示根据所述减档量对所述DAC输出值分布数据进行调节，调节后的DAC输出值分布数据中的最大值与调节前的DAC输出值分布数据中的目标值之间的差小于预设数值； 根据所述DAC输出值分布数据确定初阶档位，其中，所述初阶档位为DAC输出值分布数据的绝对值上限电压所对应的档位； 在所述初阶档位的基础上，降低所述减档量，以得到目标档位； 对待测芯片进行数据异常电压临界测试，确定所述待测芯片的临界电压值，其中，所述待测芯片为待测的Flash芯片； 确定所述临界电压值是否大于电压阈值，其中，所述电压阈值与所述待测芯片的负偏置电压的目标档位对应； 若大于电压阈值，则确定所述待测芯片的负偏置电压异常。

如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人普冉半导体(上海)股份有限公司，其通讯地址为：201000 上海市浦东新区申江路5005弄1号9层整层(实际楼层8楼)；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。

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