北方集成电路技术创新中心(北京)有限公司;北京大学刘力锋获国家专利权
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龙图腾网获悉北方集成电路技术创新中心(北京)有限公司;北京大学申请的专利一种用于提高器件保持特性的忆阻器多值编程方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119851719B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-04-28发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411910680.0，技术领域涉及：G11C13/00；该发明授权一种用于提高器件保持特性的忆阻器多值编程方法是由刘力锋;李柯汛;周正;黄鹏设计研发完成，并于2024-12-24向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种用于提高器件保持特性的忆阻器多值编程方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种用于提高器件保持特性的忆阻器多值编程方法。该方法基于一定电导阈值将忆阻器编程的目标电导划分在低导范围或高导范围，针对不同范围采用具有不同起始电导态、编程脉冲方向和去噪脉冲方向的编程方案。本发明的多值编程方法以忆阻器阻变过程中导电细丝生长和断裂的物理过程为基础，使忆阻器结束编程后的状态尽可能保持在更稳定的状态，进而使得忆阻器件具有更好的多值保持特性。与现有的忆阻器多值编程方案相比，本发明可以在不大幅增加器件编程时间和功耗开销的情况下，改善器件多值编程后数据存储的保持特性，使得其能更好地被使用于数据存储领域或存内计算领域，从而提升忆阻器存储和计算的可靠性和系统性能。
本发明授权一种用于提高器件保持特性的忆阻器多值编程方法在权利要求书中公布了：1.一种忆阻器多值编程方法，包括以下步骤： 1根据忆阻器forming后正常使用的电导范围，确定一电导阈值，将忆阻器编程的目标电导划分在高导范围或是低导范围； 2根据编程的目标电导所在范围，将忆阻器初始化到不同的电导状态：若编程的目标电导位于高导范围，将器件RESET到低电导状态；若编程的目标电导位于低导范围，则将器件SET到高电导状态； 3根据编程的目标电导所在范围，采用尽可能单向的脉冲编程方法将器件电导编程至目标值附近：若编程的目标电导位于高导范围，在编程过程中尽可能使用SET方向的脉冲进行编程；若编程的目标电导位于低导范围，则在编程过程中尽可能使用RESET方向的脉冲进行编程； 4当器件电导达到设定的目标电导值附近后，施加一定数量的单向小电压脉冲对器件电导进行去噪和稳定。
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