北方集成电路技术创新中心(北京)有限公司;北京大学刘力锋获国家专利权
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龙图腾网获悉北方集成电路技术创新中心(北京)有限公司;北京大学申请的专利一种针对阻变存储器的多模式温度校正方案获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119851702B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-04-28发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411909567.0，技术领域涉及：G11C7/04；该发明授权一种针对阻变存储器的多模式温度校正方案是由刘力锋;管浩凯;周正;黄鹏设计研发完成，并于2024-12-24向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种针对阻变存储器的多模式温度校正方案在说明书摘要公布了：本发明公开了一种针对阻变存储器的多模式温度校正方案，首先对阻变器件的温度特性进行数学建模，推导出存储器阵列的列电流与实际电流的关系式，进而得到相应的温度校正公式，对读取电流进行校正。该校正方案同时适用于单器件选通模式与多器件选通模式，能够有效提高工作在高温条件下存储器读取的可靠性。本发明进一步通过引入并行的结构节约实施该校正方案所带来的额外时间开销。本发明在高密度存储以及存算一体应用中均有着重要价值。
本发明授权一种针对阻变存储器的多模式温度校正方案在权利要求书中公布了：1.一种针对阻变存储器的多模式温度校正方法，对于由m×n个阻变器件组成的存储器阵列，基于校正公式1.0或校正公式2.0对在任意温度T下读取的电流进行校正，得到相应的在额定工作温度T0下的电流Ij； 其中，Vi为第i行输入的读电压，p为第j列同时选通的阻变器件数，Ij为存储器阵列第j列在额定工作温度T0下的电流值，为存储器阵列第j列在任意温度T下的电流值；GM、β为常数；ε为经验常数；1≤i≤m，1≤p≤m，1≤j≤n，m、n、i、j、p均为正整数。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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