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龙图腾网获悉天府绛溪实验室申请的专利一种锂基负极材料及其制备方法和应用获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119725385B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-04-28发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411891920.7，技术领域涉及：H01M4/134；该发明授权一种锂基负极材料及其制备方法和应用是由张迪;陈颉颃;宋世湃;罗兵;李聪;向勇;蒋琰设计研发完成，并于2024-12-20向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种锂基负极材料及其制备方法和应用在说明书摘要公布了：本发明公开了一种锂基负极材料及其制备方法和应用，涉及锂金属负极技术领域。一种锂基负极材料的制备方法，包括如下步骤：将不同氟化物蒸发源研磨后，放置在锂箔基底下方；调整蒸镀过程的工艺参数；对各氟化物蒸发源进行预溶处理；打开蒸发源挡板和基底挡板，使锂箔基底保持旋转，在锂箔基底表面蒸镀氟化SEI，得到锂基负极材料。本发明克服了SEI缺陷、兼顾高机械强度和高离子电导率，显著提升锂金属负极的循环寿命和电化学性能，为下一代高能量密度电池的研发提供有力支持。

本发明授权一种锂基负极材料及其制备方法和应用在权利要求书中公布了：1.一种锂基负极材料的制备方法，其特征在于，包括如下步骤： 将不同氟化物蒸发源研磨后，放置在锂箔基底下方，所述氟化物包括两种原料，一种是LiF，另一种是LaF3或CeF3； 调整蒸镀过程的工艺参数； 打开蒸发源挡板，对各氟化物蒸发源进行预溶处理，具体包括如下步骤： 打开各氟化物蒸发源挡板，保持基底挡板关闭，同时启动加热各氟化物蒸发源，保持蒸发流速为0，进行一次预溶，预溶时间为t1，此时各氟化物蒸发源的预溶温度达到T1x，保持加热t2； 各氟化物蒸发源再经过二次预溶，预溶时间为t3，此时各氟化物蒸发源的预溶温度达到T2x，保持加热t4，其中，X为各氟化物； 所述LiF一次预溶后，预溶温度T1LiF为550-600℃；CeF3一次预溶后，预溶温度T1CeF3为1100-1150℃；LaF3一次预溶后，预溶温度T1LaF3为1150-1250℃； 所述LiF二次预溶后，预溶温度T2LiF为850-950℃；CeF3二次预溶后，预溶温度T2CeF3为1200-1300℃；LaF3二次预溶后，预溶温度T2LaF3为1300-1400℃； 打开基底挡板，使锂箔基底保持旋转，在锂箔基底表面蒸镀氟化SEI，所述氟化SEI厚度为200-300nm，且氟化SEI为莲蓬结构，所述LaF3或CeF3以颗粒的形式填充在LiF主体结构中形成所述莲蓬结构，得到锂基负极材料。

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