上海交通大学纪志罡获国家专利权
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龙图腾网获悉上海交通大学申请的专利一种新型超低功耗多态无损读取铁电忆容器及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119325333B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-04-28发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411441938.7，技术领域涉及：H10N70/00；该发明授权一种新型超低功耗多态无损读取铁电忆容器及其制备方法是由纪志罡;叶盛;吴茂坤设计研发完成，并于2024-10-16向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种新型超低功耗多态无损读取铁电忆容器及其制备方法在说明书摘要公布了：本发明属于新型存储材料与微电子器件技术领域，具体公开了一种新型超低功耗多态无损读取铁电忆容器及其制备方法。所述铁电忆容器包括相对设置的第一电极、第二电极以及设置在所述第一电极和第二电极之间的铁电层，所述铁电层为氧化铪Hf02层和氧化锆Zr02层交替设置的叠层结构。本发明通过结构设计结合工艺优化得到具有结构简单、与CMOS工艺兼容、可微缩、低功耗无损快速读取、耐久性好等优点的多态存储器；利用铪锆氧铁电层的非易失性极化效应可改变介电常数的特点，形成非易失性可调容值进行数据存储，且把存储窗口做到最大，操作电压做到最低，实现多态存储，有效克服目前非易失性存储器普遍存在的读写速度慢、写入功耗较高、耐久性差等问题。
本发明授权一种新型超低功耗多态无损读取铁电忆容器及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种新型超低功耗多态无损读取铁电忆容器，其特征在于：包括相对设置的第一电极、第二电极以及设置在所述第一电极和第二电极之间的铁电层，所述铁电层为氧化铪层和氧化锆层交替设置的叠层结构； 所述第一电极和第二电极的厚度为2～50nm；所述第一电极和第二电极的材料为钌、钼、钛、金、银、镍、铂、钨、铝、铟、锡、铬的任一种，或者上述材料的合金、氮氧化物、金属氧化物半导体中的任一种； 所述铁电层的厚度为1.5～30nm，叠层单层的厚度为0.1～2nm，铁电层的铪锆混合比例为10～0.1：1； 所述铁电层经350～650℃高温退火处理，在薄膜叠层与电极的共同作用下使得铁电层材料发生相转变形成铁电相、反铁电相、非铁电相的混合晶体。
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