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龙图腾网获悉长鑫存储技术有限公司申请的专利套刻标记、半导体结构和套刻误差的测量方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119002183B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-04-28发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202310554259.X，技术领域涉及：G03F7/20；该发明授权套刻标记、半导体结构和套刻误差的测量方法是由王松;张阳;李素素设计研发完成，并于2023-05-15向国家知识产权局提交的专利申请。

本套刻标记、半导体结构和套刻误差的测量方法在说明书摘要公布了：本公开提供一种套刻标记、半导体结构和套刻误差的测量方法，套刻标记用于半导体结构，半导体结构包括基底，套刻标记位于基底上，套刻标记包括：第一图案层和第二图案层，第一图案层和第二图案层对应形成于不同的图案化过程中，第一图案层和第二图案层在基底上的正投影不相重叠；第一图案层和第二图案层均包括间隔设置的多个标记，至少部分数量的标记的延伸方向和间隔设置方向相互交叉；各标记均包括多个子标记，在同一标记中，多个子标记的延伸方向的两端位于标记的延伸方向的两端。因此，本公开提供的套刻标记、半导体结构和套刻误差的测量方法，能够保证套刻误差的测量准确度，从而可以提高产品的产率和良率。

本发明授权套刻标记、半导体结构和套刻误差的测量方法在权利要求书中公布了：1.一种套刻标记，用于半导体结构，所述半导体结构包括基底，所述套刻标记位于所述基底上，其特征在于，所述套刻标记包括：第一图案层和第二图案层，所述第一图案层和所述第二图案层对应形成于不同的图案化过程中，所述第一图案层和所述第二图案层在所述基底上的正投影不相重叠； 所述第一图案层和所述第二图案层均包括间隔设置的多个标记，至少部分数量的所述标记的延伸方向和间隔设置方向相互交叉； 各所述标记均包括多个子标记，在同一所述标记中，多个所述子标记的延伸方向的两端位于所述标记的延伸方向的两端； 所述半导体结构包括第三图案层和第四图案层，所述第三图案层与所述第一图案层形成于同一图案化过程中，所述第四图案层与所述第二图案层形成于同一图案化过程中，所述第三图案层和所述第四图案层均位于芯片区的所述基底上，所述套刻标记位于第一切割道区和或第二切割道区的所述基底上； 所述第三图案层或所述第四图案层形成各所述芯片区中的多个有源区，第一标记的延伸方向与所述有源区的延伸方向相同； 和或，在同一所述标记中，多个所述子标记的延伸方向与所述标记的延伸方向相同，且多个所述子标记间隔设置； 多个所述标记包括多个第二标记，多个所述第二标记均沿第二方向间隔设置，多个所述第二标记的延伸方向与所述第二方向不同； 多个所述第二标记的延伸方向与所述第一标记的延伸方向垂直相交； 沿所述第二标记的延伸方向，所述第一图案层和所述第二图案层的所述第一标记之间具有套刻误差a；沿所述第一标记的延伸方向，所述第一图案层和所述第二图案层的所述第二标记之间具有套刻误差b； 沿第一方向，所述第一图案层和所述第二图案层之间具有套刻误差x；沿所述第二方向，所述第一图案层和所述第二图案层之间具有套刻误差y；所述第一标记的延伸方向与所述第一方向之间具有夹角θ；所述第一方向和所述第二方向相互垂直； 所述x、所述a、所述b和所述θ满足公式：x=b*cosθ+a*sinθ； 所述y、所述a、所述b和所述θ满足公式：y=b*sinθ-a*cosθ。

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