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龙图腾网获悉合肥工业大学申请的专利一种ReS2二维超晶格结构的制备方法及其应用获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN118929763B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-04-28发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411007184.4，技术领域涉及：C01G47/00；该发明授权一种ReS2二维超晶格结构的制备方法及其应用是由许俊;杨孝远;黄浩洋;夏艳婷;方金茂设计研发完成，并于2024-07-25向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种ReS2二维超晶格结构的制备方法及其应用在说明书摘要公布了：本发明提供了一种ReS2二维超晶格结构的制备方法及其应用，在相邻的两个ReS2单分子纳米层之间插入单层碳，其具有多重效应：不仅可以增宽ReS2的层间间距，便于碱金属离子快速的插入脱出；还可以改善ReS2的表面和内部的电子传导性，以充分加速电子的传输；另外，ReS2被限域在两个单层碳结构之间，提高充放电过程中的固‑固反应活性。如此独特的纳米结构也可以和碳基材料组成导电网络，形成一个坚固的框架，具有出色的纳米结构稳定性。本发明所得产物结构独特、形貌规则、成分均一、无杂质相，且电化学特性优异。

本发明授权一种ReS2二维超晶格结构的制备方法及其应用在权利要求书中公布了：1.一种ReS2二维超晶格结构的制备方法，其特征在于，包括如下步骤： 步骤1、称取2-6mmolCH4N2S或C2H5NS加入到3-10mL的去离子水中，搅拌1-20分钟，得到溶液A； 步骤2、取20-400mg碳基材料加入到15-30mL的去离子水中超声0.1-5小时，再搅拌0.1-2小时，继续加入0.5-1.5mmol的NH4ReO4和2-6mmol的NH3OHCl搅拌1-40分钟，得到溶液B； 步骤3、向所述溶液B中依次加入1-6mL的氨基化合物和0.5-8g的还原类糖，搅拌1-20分钟，得到溶液C； 步骤4、将所述溶液C迅速转移至溶液A中，密封搅拌10-40分钟，获得混合溶液；将所述混合溶液转移到反应釜中并在160-220℃下反应12-24小时，得初始产物； 步骤5、将所述初始产物离心清洗后置于真空干燥箱干燥，获得中间产物； 步骤6、将所述中间产物置于管式炉中，然后在真空环境下升温至500-900℃，保温1-3小时，最后冷却至室温，即获得目标产物ReS2二维超晶格结构，即在碳基材料上生长的单层碳插层的ReS2纳米片。

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