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龙图腾网获悉重庆大学;重庆平伟实业股份有限公司申请的专利一种超低导通电阻鳍型异质结场效应晶体管获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN118610259B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-04-28发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202410754616.1，技术领域涉及：H10D30/62；该发明授权一种超低导通电阻鳍型异质结场效应晶体管是由陈文锁;黄嘉伟文;徐向涛;张成方;王航;张力设计研发完成，并于2024-06-12向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种超低导通电阻鳍型异质结场效应晶体管在说明书摘要公布了：本申请提供一种超低导通电阻鳍型异质结场效应晶体管，包括：第一导电类型衬底；漏极金属层；第一导电类型漂移层；第一导电类型第一导电层；所述第一导电类型第一导电层背离所述第一导电类型漂移层的一侧包括至少一个凸出部；第二导电类型第一半导体层；第二导电类型第二半导体层；栅极金属层，第一导电类型第二导电层；钝化层；以及源极金属层。本申请利用异质结界面电子积累效应，在已采用超结结构基础上，使器件导通电阻进一步降低，功率优值明显提高。

本发明授权一种超低导通电阻鳍型异质结场效应晶体管在权利要求书中公布了：1.一种超低导通电阻鳍型异质结场效应晶体管，其特征在于，包括： 第一导电类型衬底； 漏极金属层，设置于所述第一导电类型衬底的一侧； 第一导电类型漂移层，设置于所述第一导电类型衬底背离所述漏极金属层的一侧； 第一导电类型第一导电层，设置于所述第一导电类型漂移层背离所述第一导电类型衬底一侧；所述第一导电类型第一导电层背离所述第一导电类型漂移层的一侧包括至少一个凸出部； 第二导电类型第一半导体层，设置于所述第一导电类型漂移层两侧，并延伸至所述第一导电类型第一导电层的侧边； 第二导电类型第二半导体层，设置于所述凸出部的两侧，并覆盖所述第二导电类型第一半导体层，其中，所述第二导电类型第一半导体层以及所述第二导电类型第二半导体层分别在与第一导电类型第一导电层以及所述第一导电类型漂移层的接触面形成异质结界面； 栅极金属层，设置于所述第二导电类型第二半导体层上； 第一导电类型第二导电层，设置于所述凸出部远离所述第一导电类型漂移层的一侧； 钝化层，其覆盖所述第二导电类型第二半导体层和所述栅极金属层； 源极金属层，其设置于所述第一导电类型第二导电层背离所述凸出部的一侧； 所述第一导电类型漂移层的掺杂浓度高于所述第一导电类型第一导电层。

如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人重庆大学;重庆平伟实业股份有限公司，其通讯地址为：400044 重庆市沙坪坝区正街174号；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。

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