昆明物理研究所唐利斌获国家专利权
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龙图腾网获悉昆明物理研究所申请的专利NiO/MgO/n-Si异质结紫外探测器及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN118173620B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-04-28发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202410289150.2，技术领域涉及：H10F77/30；该发明授权NiO/MgO/n-Si异质结紫外探测器及其制备方法是由唐利斌;马兴招;才玉华;贾梦涵;田品;张玉平;郭小鹏;左文彬;徐培翔;李志设计研发完成，并于2024-03-14向国家知识产权局提交的专利申请。
本NiO/MgO/n-Si异质结紫外探测器及其制备方法在说明书摘要公布了：NiOMgOn‑Si异质结紫外探测器及其制备方法，属于紫外探测器领域，该探测器从下至上依次是阴极层、n‑Si、MgO薄膜、NiO薄膜及阳极层，阴极层为Al电极，阳极层为Au。选择电阻率为1‑3Ω·cm的N型双面抛光硅片作为电子传输层，先对硅片进行超声清洗和氧化层去除处理，然后采用磁控溅射方法在洁净的n‑Si上沉积一层MgO薄膜作为中间介质层，再沉积一层NiO薄膜作为光吸收层，接着用掩膜溅射法制备Au电极图案作为阳极层、以及热蒸镀Al作为阴极层。本发明的器件对紫外光较为灵敏，器件性能表现优异，制备方法绿色、简单且有效。
本发明授权NiO/MgO/n-Si异质结紫外探测器及其制备方法在权利要求书中公布了：1.NiOMgO-Si异质结紫外探测器，其特征在于从下至上依次是阴极层、n-Si、MgO薄膜、NiO薄膜及阳极层，阴极层为Al电极，阳极层为Au电极； 所述MgO薄膜厚度8nm；NiO薄膜厚度为198nm。
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