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龙图腾网获悉电子科技大学申请的专利一种具有过流环结构的高PSR性能的大片外电容LDO获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN118151709B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-04-28发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202410289028.5，技术领域涉及：G05F1/56；该发明授权一种具有过流环结构的高PSR性能的大片外电容LDO是由王卓;毛艺澄;王璇;罗宇澄;明鑫;张波设计研发完成，并于2024-03-14向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种具有过流环结构的高PSR性能的大片外电容LDO在说明书摘要公布了：本发明属于电源管理技术领域，尤其涉及一种具有过流环结构的高PSR性能的大片外电容LDO。本发明利用大片外电容利于稳压以及高压功率管具有大rds的特点，从常见的低压降，小负载电流的LDO转变为了高压降，大负载电流的LDO，提高了LDO全频段的PSR性能。相比传统结构，本发明的方案低频时电源噪声可以通过较大的环路增益来抑制，而中高频时的电源噪声可以通过大片外电容来滤除。

本发明授权一种具有过流环结构的高PSR性能的大片外电容LDO在权利要求书中公布了：1.一种具有过流环结构的高PSR性能的大片外电容LDO，其特征在于，包括第一PMOS管、第二PMOS管、第三PMOS管、第四PMOS管、第五PMOS管、第六PMOS管、第七PMOS管、第八PMOS管、第九PMOS管、第一NMOS管、第二NMOS管、第三NMOS管、第四NMOS管、第五NMOS管、第六NMOS管、第一电阻、第二电阻、第三电阻、第四电阻、第五电阻、第六电阻、第一电容、第二电容、第一偏置电流源、第二偏置电流源和第三偏置电流源； 第一PMOS管的源极接第二偏置电流源的一端，第一PMOS管的栅极接基准电压；第二PMOS管的源极接第二偏置电流源的一端，第二PMOS管的栅极接反馈电压；第二偏置电流源的另一端接5V电源轨VPRE； 第五NMOS管的漏极和栅极接第一偏置电流源的一端，第一偏置电流源的另一端接电源VDD；第六NMOS管的栅极和漏极接第五NMOS管的源极，第六NMOS管的源极接地； 第三PMOS管的源极接电源VDD，其栅极和漏极互连；第五PMOS管的源极接第三PMOS管的漏极，第五PMOS管的栅极和漏极互连；第一NMOS管的漏极接第五PMOS管的漏极，第一NMOS管的栅极接第五NMOS管的漏极，第一NMOS管的源极接第二PMOS管的漏极和第三偏置电流源的一端； 第四PMOS管的源极接电源VDD，其栅极接第三PMOS管的漏极；第六PMOS管的源极接第四PMOS管的漏极，第六PMOS管的栅极接第五PMOS管的漏极；第二NMOS管的漏极接第六PMOS管的漏极，第二NMOS管的栅极接第五NMOS管的漏极，第二NMOS管的源极接第一电容的一端、第一PMOS管的漏极和第三偏置电流源的一端；第三偏置电流源的另一端接地； 第七PMOS管的源极通过第一电阻后接电源VDD，其栅极接第六PMOS管的漏极，第七PMOS管的漏极通过第二电阻后接地； 第八PMOS管的源极接电源VDD，其栅极接第七PMOS管的源极，第八PMOS管的漏极依次通过第三电阻和第四电阻后接地；第三电阻和第四电阻的连接点输出反馈电压； 第一电容的另一端接第八PMOS管的漏极和第二电容的一端，该连接点为LDO输出端；第二电容的另一端接地； 第九PMOS管的源极接电源VDD，其栅极接第七PMOS管的源极，第九PMOS管的漏极通过第五电阻后接地； 第三NMOS管的漏极和栅极接第九PMOS管的漏极；第四NMOS管的漏极和栅极接第三NMOS管的源极，第四NMOS管的源极接地； 第五NMOS管的漏极接第二PMOS管的漏极，第五NMOS管的栅极接第九PMOS管的漏极，第五NMOS管的源极通过第六电阻后接地。

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