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龙图腾网获悉中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所申请的专利一维碳包覆硒化铜纳米线同轴异质材料、其制备方法及应用获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN118026152B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-04-28发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202410214115.4，技术领域涉及：C01B32/16；该发明授权一维碳包覆硒化铜纳米线同轴异质材料、其制备方法及应用是由李清文;李云飞;康黎星设计研发完成，并于2024-02-27向国家知识产权局提交的专利申请。

本一维碳包覆硒化铜纳米线同轴异质材料、其制备方法及应用在说明书摘要公布了：本发明公开了一种一维碳包覆硒化铜纳米线同轴异质材料、其制备方法及应用。所述制备方法包括：采用真空化学气相输运法，使乙酰丙酮铜在密封条件下加热分解，形成碳包覆铜纳米线材料，之后进行退火处理，得到一维碳包覆铜纳米线材料；采用化学气相沉积法，以硒源对所述一维碳包覆铜纳米线材料进行硒化，制得一维碳包覆硒化铜纳米线同轴异质材料。本发明利用真空化学气相输运和二次硒化法合成了一维碳包覆硒化铜纳米线同轴异质材料，提高了制备效率；同时，本发明构筑的一维碳包覆硒化铜纳米线材料本身的一维结构具有较高的比表面积，同时外部的碳层提高了硒化铜的电子电导性及稳定性，表现出较高的充放电比容量。

本发明授权一维碳包覆硒化铜纳米线同轴异质材料、其制备方法及应用在权利要求书中公布了：1.一种一维碳包覆硒化铜纳米线同轴异质材料的制备方法，其特征在于，包括： 采用真空化学气相输运法，在真空度低于10-5Pa的环境下，将乙酰丙酮铜密封于容器中，之后于400~800℃加热12~72h，使乙酰丙酮铜分解并形成具有同轴结构的碳包覆铜纳米线材料； 在氢气和惰性气体的混合气氛中，对所述碳包覆铜纳米线材料进行退火处理，得到一维碳包覆铜纳米线材料；所述退火处理的温度为500~800℃，时间为30min~2h； 采用化学气相沉积法，将硒源置于化学气相沉积设备的反应腔室的第一区域，将一维碳包覆铜纳米线材料置于反应腔室的第二区域，加热硒源使其在载气的作用下进入第二区域，对一维碳包覆铜纳米线材料进行硒化，之后以20℃min~50℃min的速率降温至室温，制得一维碳包覆硒化铜纳米线同轴异质材料，所述第一区域、第二区域沿载气的行进方向依次设置，所述第一区域的加热温度为200~300℃，所述第二区域的加热温度为500~600℃，时间为0.5~2h，所述乙酰丙酮铜与硒源的质量比为120~300：5~10，所述硒源为硒粉。

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