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中国地质大学(武汉)杨华明获国家专利权

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龙图腾网获悉中国地质大学(武汉)申请的专利一种植硅体硅碳矿相变储热材料及其制备方法和应用获国家发明授权专利权,本发明授权专利权由国家知识产权局授予,授权公告号为:CN117925193B

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-04-28发布的发明授权授权公告中获悉:该发明授权的专利申请号/专利号为:202410088102.7,技术领域涉及:C09K5/06;该发明授权一种植硅体硅碳矿相变储热材料及其制备方法和应用是由杨华明;刘茜;赵晓光;唐异立设计研发完成,并于2024-01-22向国家知识产权局提交的专利申请。

一种植硅体硅碳矿相变储热材料及其制备方法和应用在说明书摘要公布了:本申请提供了一种植硅体硅碳矿相变储热材料及其制备方法和应用,属于光热转换材料技术领域,该相变储热材料的制备方法包括以下步骤:将植硅体硅碳矿原矿破碎研磨后筛分、烘干,得到第一固体产物;将第一固体产物和碱性氢氧化物混匀,在惰性气氛下煅烧,得到第二固体产物;将第二固体产物水洗至中性、烘干,得到第三固体产物;将第三固体产物和硬脂酸混匀,在真空下浸润处理,之后去除第三固体产物表面过量的硬脂酸,冷却后研磨,得到植硅体硅碳矿相变储热材料。本申请的储热材料的焓值高达106.93Jg,防泄露效果优异,光热转换效率高达98.86%,经200次熔融冻结循环后相变焓没有明显变化,循环稳定性高,可用于吸收光能并转化为热能和电能。

本发明授权一种植硅体硅碳矿相变储热材料及其制备方法和应用在权利要求书中公布了:1.一种植硅体硅碳矿相变储热材料的制备方法,其特征在于,包括以下步骤: S1:将植硅体硅碳矿原矿破碎研磨后筛分、烘干,得到第一固体产物; S2:将所述第一固体产物和碱性氢氧化物混匀,在惰性气氛下煅烧,得到第二固体产物; S3:将所述第二固体产物水洗至中性、烘干,得到第三固体产物; S4:将所述第三固体产物和硬脂酸混匀,在真空下浸润处理,之后去除所述第三固体产物表面过量的硬脂酸,冷却后研磨,得到植硅体硅碳矿相变储热材料,具体的,所述第三固体产物和所述硬脂酸的质量比为1:2~4;所述浸润时间为20~60min。

如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术,可联系本专利的申请人或专利权人中国地质大学(武汉),其通讯地址为:430000 湖北省武汉市洪山区鲁磨路388号;或者联系龙图腾网官方客服,联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。

以上内容由龙图腾AI智能生成。

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