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龙图腾网获悉中科芯集成电路有限公司申请的专利一种应用于射频通信芯片的自偏置LDO电路获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN117724562B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-04-28发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202311624325.2，技术领域涉及：G05F1/56；该发明授权一种应用于射频通信芯片的自偏置LDO电路是由张美娟;王雪原;范学仕;蒋乐设计研发完成，并于2023-11-30向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种应用于射频通信芯片的自偏置LDO电路在说明书摘要公布了：本发明涉及集成电路技术领域，特别涉及一种应用于射频通信芯片的自偏置LDO电路。包括：核心电路模块，用于产生与输入电压成固定比例的输出电压；自偏置电路模块，用于产生与电源电压无关的参考电压和偏置电流，并给运算放大器提供输入电压和偏置电流；输入选择电路模块，用于给运算放大器选择输入电压和偏置电流。所述核心电路模块包括运算放大器OP和电阻R1～R2；所述运算放大器OP的正输入端连接NMOS管MN1的源端和NMOS管MN2的源端，负输入端分别通过电阻R2接地和通过电阻R1接输出端VO，输出端VO连接所述自偏置电路模块的电源端。本发明通过上述自偏置LDO电路以解决因电源端的低频噪声导致锁相环近端相位噪声恶化的问题。

本发明授权一种应用于射频通信芯片的自偏置LDO电路在权利要求书中公布了：1.一种应用于射频通信芯片的自偏置LDO电路，其特征在于，包括： 核心电路模块，用于产生与输入电压成固定比例的输出电压； 自偏置电路模块，用于产生与电源电压无关的参考电压和偏置电流，并给运算放大器提供输入电压和偏置电流； 输入选择电路模块，用于给运算放大器选择输入电压和偏置电流； 所述自偏置电路模块包括PMOS管MP3~MP9、NMOS管MN3~MN9、电阻R4~R6和反相器INV； 所述PMOS管MP3的源端和PMOS管MP4的源端均接电源VO；所述PMOS管MP3的漏端同时连接NMOS管MN3的漏端和反相器INV的输入端，所述PMOS管MP3的栅端连接使能端口EN；所述PMOS管MP4的漏端同时连接NMOS管MN3的栅端、NMOS管MN4的栅端、PMOS管MP6的漏端和NMOS管MN6的漏端，所述PMOS管MP4的栅端连接反相器INV的输出端； 所述PMOS管MP5的源端、PMOS管MP6的源端和PMOS管MP7的源端均接电源VO；所述PMOS管MP5的漏端和栅端、PMOS管MP6的栅端和PMOS管MP7的栅端共同接入NMOS管MN4的漏端，所述PMOS管MP7的漏端同时连接NMOS管MN7的漏端、NMOS管MN7的栅端和NMOS管MN8的栅端； 所述PMOS管MP8的源端和PMOS管MP9的源端均接电源VO；所述PMOS管MP8的漏端和栅端、PMOS管MP9的栅端共同接入NMOS管MN8的漏端，所述PMOS管MP9的漏端连接输出电流端口Ibias2； 所述NMOS管MN3的源端连接NMOS管MN5的漏端；所述NMOS管MN4的源端通过电阻R4接地；所述NMOS管MN5的源端接地，栅端同时连接NMOS管MN4的源端和NMOS管MN6的栅端；所述NMOS管MN6的源端接地； 所述NMOS管MN7的源端连接NMOS管MN9的漏端；所述NMOS管MN8的源端连接输出电压端口VREF2；所述NMOS管MN9的源端接地，栅端分别通过电阻R6接地和通过电阻R5与输出电压端口VREF2连接。

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