买专利卖专利找龙图腾，真高效！ 查专利查商标用IPTOP,全免费！专利年费监控用IP管家,真方便！

龙图腾网获悉杭州中欣晶圆半导体股份有限公司申请的专利检测重掺硼缺陷的方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN117491321B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-04-28发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202311290786.0，技术领域涉及：G01N21/64；该发明授权检测重掺硼缺陷的方法是由楼刚刚设计研发完成，并于2023-10-08向国家知识产权局提交的专利申请。

本检测重掺硼缺陷的方法在说明书摘要公布了：本发明涉及一种检测重掺硼缺陷的方法，所属硅片加工技术领域，包括如下操作步骤：第一步：重掺硼单晶硅棒线切后硅片按照每50枚中抽1枚组成先行片。第二步：对先行片进行双面研磨一次倒角和单面研磨进行二次倒角。第三步：二次倒角后进行碱腐蚀。第四步：先行片放入有HCL和H2O2混合液的清洗槽内进行清洗。第五步：清洗完成烘干后用荧光灯检查硅片表面缺陷。第六步：检测合格的先行片进行双面抛光。第七步：抛光后使用槽式洗净机清洗。第八步：进行单面抛光。第九步：单面抛光后的硅片再次回到碱腐蚀。第十步：清洗完成烘干后用荧光灯检查硅片表面缺陷。排除机械加工带来的划伤影响，提高检测的准确度，避免现有重掺硼缺陷检测方法检测误判的问题。

本发明授权检测重掺硼缺陷的方法在权利要求书中公布了：1.一种检测重掺硼缺陷的方法，其特征在于包括如下操作步骤： 第一步：重掺硼单晶硅棒线切后硅片按照每50枚中抽1枚组成先行片； 第二步：对先行片进行一次倒角，倒角加工用3000目砂轮进行双面研磨，双面研磨后用8000目砂轮进行单面研磨，单面研磨进行二次倒角； 第三步：二次倒角后进行碱腐蚀，硅片放置在碱液槽内，用KOH溶液质量浓度为45±5%进行碱腐蚀； 第四步：先行片放入清洗槽，槽内加质量浓度为0.5～0.7%HCL和浓度为0.3～0.8%H2O2,进行清洗； 第五步：清洗完成烘干后用荧光灯检查硅片表面缺陷，若看到表面有明显的“井”缺陷，则直接判NG，若无“井”缺陷则正常流转； 第六步：检测合格的先行片进行双面抛光； 第七步：抛光后使用槽式洗净机清洗； 第八步：进行单面抛光，单面抛光去除量1um； 第九步：单面抛光后的硅片再次回到碱腐蚀，使用KOH溶液质量浓度为45±5%进行碱腐蚀5um厚度； 第十步：清洗完成烘干后用荧光灯检查硅片表面缺陷，若表面存在丝状细纹，记录位置用激光显微镜再次确认，出现缺陷判定先行片报废，无缺陷判定合格。

如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人杭州中欣晶圆半导体股份有限公司，其通讯地址为：311201 浙江省杭州市钱塘新区东垦路888号；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。

以上内容由龙图腾AI智能生成。