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龙图腾网获悉长鑫存储技术有限公司申请的专利掩膜结构的制备方法、以及半导体器件的制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN117352373B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-04-28发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210761702.6，技术领域涉及：H10P76/20；该发明授权掩膜结构的制备方法、以及半导体器件的制备方法是由李巧设计研发完成，并于2022-06-29向国家知识产权局提交的专利申请。

本掩膜结构的制备方法、以及半导体器件的制备方法在说明书摘要公布了：本公开实施例提供了一种掩膜结构的制备方法，该方法包括：提供基底，基底包括第一区域和第二区域；在基底上形成图形转移层、第一掩膜层和第二掩膜层；在第一区域的第二掩膜层中形成若干第一图形，相邻第一图形之间具有第一沟槽；形成第一牺牲层；形成第一回填层；去除位于第一图形顶面的第一回填层，并沿位于第一图形侧壁的第一牺牲层向下刻蚀，以在第一区域的第一掩膜层中形成若干第二图形，相邻第二图形之间具有第二沟槽；形成第二牺牲层；形成第二回填层；去除位于第二图形顶面的第二回填层，并沿位于第二图形侧壁的第二牺牲层向下刻蚀，在第一区域上的图形转移层中形成若干第三图形。

本发明授权掩膜结构的制备方法、以及半导体器件的制备方法在权利要求书中公布了：1.一种掩膜结构的制备方法，其特征在于，所述方法包括： 提供基底，所述基底包括第一区域和第二区域； 在所述基底上形成自下而上依次堆叠的图形转移层、第一掩膜层和第二掩膜层； 图案化所述第二掩膜层，在所述第一区域上的所述第二掩膜层中形成若干第一图形，相邻所述第一图形之间具有第一沟槽； 形成第一牺牲层，所述第一牺牲层覆盖所述第一图形和所述第一沟槽的表面以及所述第二区域上的所述第二掩膜层表面； 形成第一回填层，所述第一回填层填满所述第一沟槽并覆盖所述第一牺牲层的顶面； 去除位于所述第一图形顶面的所述第一回填层，并沿位于所述第一图形侧壁的所述第一牺牲层向下刻蚀，以在所述第一区域上的所述第一掩膜层中形成若干第二图形，相邻所述第二图形之间具有第二沟槽； 形成第二牺牲层，所述第二牺牲层覆盖所述第二图形和所述第二沟槽的表面以及所述第二区域上的所述第一掩膜层表面； 形成第二回填层，所述第二回填层填满所述第二沟槽并覆盖所述第二牺牲层的顶面； 去除位于所述第二图形顶面的所述第二回填层，并沿位于所述第二图形侧壁的所述第二牺牲层向下刻蚀，以在所述第一区域上的所述图形转移层中形成若干第三图形。

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