华南师范大学;深圳市国华光电科技有限公司劳伦斯·德·哈恩获国家专利权
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龙图腾网获悉华南师范大学;深圳市国华光电科技有限公司申请的专利一种含脒化合物的二氧化碳响应性液晶薄膜及其制备方法与应用获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN117247649B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-04-28发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202311134176.1，技术领域涉及：C08L33/14；该发明授权一种含脒化合物的二氧化碳响应性液晶薄膜及其制备方法与应用是由劳伦斯·德·哈恩;周涛;周国富设计研发完成，并于2023-09-05向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种含脒化合物的二氧化碳响应性液晶薄膜及其制备方法与应用在说明书摘要公布了：本发明含脒化合物的二氧化碳响应性液晶薄膜由可反射可见光的胆甾液晶聚合物与含脒化合物形成聚合物互穿网络。该薄膜的制备材料包括：含脒化合物、胆甾相液晶单体、交联剂、手性掺杂剂、光引发剂和致孔剂，含脒化合物中的脒基与二氧化碳反应，增加了聚合物网络的亲水性，当水渗透到薄膜中，从而使薄膜反射的光发生红移和相应的颜色变化。本发明所制备的二氧化碳响应性液晶薄膜的变色效果稳定，响应效果明显、更加容易区别，在多次循环后仍保持可逆，多次循环使用之后薄膜的性能保持得很好。
本发明授权一种含脒化合物的二氧化碳响应性液晶薄膜及其制备方法与应用在权利要求书中公布了：1.一种含脒化合物的二氧化碳响应性液晶薄膜，其特征在于，所述含脒化合物的二氧化碳响应性液晶薄膜的制备原料包括：含脒化合物、胆甾相液晶单体、交联剂、手性掺杂剂、光引发剂和致孔剂； 所述含脒化合物的结构式如下： ； 所述制备原料的质量分数如下：含脒化合物40-60wt%、胆甾相液晶单体8-15wt%、交联剂4-10%、手性掺杂剂16-30wt%、光引发剂1-2wt%和致孔剂5-15wt%。
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