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龙图腾网获悉四川和芯微电子股份有限公司申请的专利LDO电路获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN117170449B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-04-28发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202311234861.1，技术领域涉及：G05F1/56；该发明授权LDO电路是由吕亚兰;郭向阳设计研发完成，并于2023-09-22向国家知识产权局提交的专利申请。

本LDO电路在说明书摘要公布了：本发明公开了一种LDO电路，包括相互电性连接的运算放大器、分压取样电路及功率管，其中，还包括一过冲调节电路，其与运算放大器连接，包括电容、第一MOS管、第二MOS管及第一镜像单元，电容一端与电源连接，另一端与第一MOS管的栅极、第一镜像单元共同连接，第一MOS管的源极、漏极均与运算放大器连接，第二MOS管的源极与电源连接，一外部电压输入到第二MOS管的栅极，第二MOS管的漏极与第一镜像单元连接，第一镜像单元将第二MOS管线路上的电流镜像至电容所在线路上。本发明的LDO电路平稳地解决了电路在上电过程中输出电压出现过冲问题，防止了电路器件在工作过程中因电压过冲而损坏，提高了整个电路的可靠性。

本发明授权LDO电路在权利要求书中公布了：1.一种LDO电路，包括运算放大器、分压取样电路及功率管，所述功率管在导通的情况下通过输出端产生输出电压，所述分压取样电路对输出电压进行分压并将分压后的电压输入所述运算放大器，所述运算放大器将外部输入的基准电压与分压电压进行对比放大，将放大后的信号输入所述功率管以控制所述功率管的导通；其特征在于，还包括一过冲调节电路，所述过冲调节电路与所述运算放大器连接，其包括电容、第一MOS管、第二MOS管及第一镜像单元，所述电容一端与电源连接，另一端与第一MOS管的栅极、第一镜像单元共同连接，所述第一MOS管的源极、漏极均与所述运算放大器连接，所述第二MOS管的源极与电源连接，一外部电压输入到所述第二MOS管的栅极，以在电路上电过程中在所述第二MOS管上产生一偏置电流，所述第二MOS管的漏极与第一镜像单元连接，所述第一镜像单元将所述第二MOS管线路上的电流镜像至所述电容所在线路上；所述运算放大器包括第二镜像单元、第五MOS管、第六MOS管及第七MOS管，所述第五MOS管的栅极与分压取样电路连接，其漏极与第一MOS管的漏极、第二镜像单元共同连接，外部基准电压输入到所述第六MOS管的栅极，所述第六MOS管的漏极与第二镜像单元、功率管的栅极连接，所述第二镜像单元将所述第五MOS管线路上的电流镜像至所述第六MOS管所在线路上，所述第一MOS管、第五MOS管、第六MOS管的源极与第七MOS管的漏极共同连接，另一外部电压输入到所述第七MOS管的栅极，以在所述第七MOS管产生另一偏置电流，所述第七MOS管的源极接地。

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