中国科学院半导体研究所韦欣获国家专利权
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龙图腾网获悉中国科学院半导体研究所申请的专利一种自锁模VECSEL锁模稳定的芯片封装装置、方法及控制方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN117117626B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-04-28发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202211554220.X，技术领域涉及：H01S5/0237；该发明授权一种自锁模VECSEL锁模稳定的芯片封装装置、方法及控制方法是由韦欣;邱小浪;汪超;张杨;李川川设计研发完成，并于2022-12-05向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种自锁模VECSEL锁模稳定的芯片封装装置、方法及控制方法在说明书摘要公布了：本发明提供了一种自锁模VECSEL锁模稳定的芯片封装装置、方法及控制方法，该封装装置包括：增益芯片，金属圆薄片，压力装置，所述压力装置设于所述金属圆薄片的下表面，用于产生压力使所述金属圆薄片和所述增益芯片发生形变，当所述增益芯片的表面形变焦距达到其中心形变的二分之一时，增益芯片非线性等效焦距增强，实现锁模稳定；其中，所述非线性等效焦距由所述增益芯片的表面形变自散焦焦距和其材料内部决定的非线性克尔透镜焦距组合成的微透镜组焦距来调节。该封装装置结构简单，操作方便，便于稳定自锁模脉冲的输出。该封装方法实现了低功率的状态下就能达到稳定的锁模，无需持续增加泵浦功率实现光强的增大达到稳定锁模状态。
本发明授权一种自锁模VECSEL锁模稳定的芯片封装装置、方法及控制方法在权利要求书中公布了：1.一种自锁模VECSEL锁模稳定的芯片封装装置，其特征在于，包括： 增益芯片1，自上而下依次包括表面窗口层结构11、多量子阱结构12和DBR反射镜结构13； 金属圆薄片2，其上表面与所述增益芯片1焊接，用于承载压力使所述增益芯片1产生与其同步的等效形变； 压力装置3，设于所述金属圆薄片2的下表面，用于产生压力使所述金属圆薄片2和所述增益芯片1产生形变；当所述增益芯片1的表面形变焦距达到其中心形变的二分之一时，增益芯片1非线性等效焦距增强，实现锁模稳定；其中，所述非线性等效焦距由所述增益芯片1的表面形变自散焦焦距和其材料内部决定的非线性克尔透镜焦距组合成的微透镜组焦距来调节。
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