武汉理工大学洪建勋获国家专利权
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龙图腾网获悉武汉理工大学申请的专利一种测量铁电薄膜电光系数的装置获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN117030660B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-04-28发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202310921496.5，技术领域涉及：G01N21/45；该发明授权一种测量铁电薄膜电光系数的装置是由洪建勋设计研发完成，并于2023-07-25向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种测量铁电薄膜电光系数的装置在说明书摘要公布了：本发明提供一种测量铁电薄膜电光系数的装置，包括样品放置模块、入射模块、电场模块以及双光路干涉模块，双光路干涉模块用于根据线偏振光穿透待测铁电薄膜后产生的两个偏振光之间的相位差以输出待测铁电薄膜对应的电光系数分量，其中，双光路干涉模块包括双折射干涉单元以及Mach‑Zenhder干涉单元，双折射干涉单元用于测量待测铁电薄膜中使用双折射干涉法可以分离的电光系数分量，Mach‑Zenhder干涉单元用于测量待测铁电薄膜中使用双折射干涉法无法分离的电光系数分量；本发明综合利用两种干涉结果可以测量出不同的电光系数分量。
本发明授权一种测量铁电薄膜电光系数的装置在权利要求书中公布了：1.一种测量铁电薄膜电光系数的装置，其特征在于，包括样品放置模块、入射模块、电场模块以及双光路干涉模块，所述样品放置模块用于放置待测铁电薄膜，所述入射模块用于提供线偏振光以照射所述待测铁电薄膜，所述电场模块用于对所述待测铁电薄膜提供电场，所述双光路干涉模块用于根据所述线偏振光穿透所述待测铁电薄膜后产生的两个偏振光之间的相位差以输出所述待测铁电薄膜对应的电光系数分量； 其中，所述双光路干涉模块包括双折射干涉单元以及Mach-Zenhder干涉单元，所述双折射干涉单元用于测量所述待测铁电薄膜中使用双折射干涉法可以分离的电光系数分量，所述Mach-Zenhder干涉单元用于测量所述待测铁电薄膜中使用双折射干涉法无法分离的电光系数分量。
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