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龙图腾网获悉吉林大学申请的专利一种基于TPA-3DCNPZ和叠层结构的室温自愈合式NH3传感器及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN116990352B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-04-28发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202310819019.8，技术领域涉及：G01N27/12；该发明授权一种基于TPA-3DCNPZ和叠层结构的室温自愈合式NH3传感器及其制备方法是由刘方猛;贺俊铭;梁宝炎;卢革宇;王悦设计研发完成，并于2023-07-05向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种基于TPA-3DCNPZ和叠层结构的室温自愈合式NH3传感器及其制备方法在说明书摘要公布了：一种基于TPA‑3DCNPZ和叠层结构的室温自愈合式NH3传感器及其制备方法，属于气体传感器技术领域。由下至上依次由聚氨酯PU基底、银下电极、TPA‑3DCNPZ敏感材料薄膜、金上电极组成。首先制备TPA‑3DCNPZ敏感材料旋涂液，再通过热蒸镀辅助法将银电极稳定地制备到PU基底上，利用旋涂法和热蒸镀法依次制备TPA‑3DCNPZ敏感材料薄膜和金上电极。本发明利用新型有机敏感材料TPA‑3DCNPZ有效的降低了传感器的工作温度，可在室温条件下检测NH3；利用交联PU基底在机械损伤后二硫键的动态交联实现整体器件的自愈合，提高器件的抗机械损伤性能；传感器具有良好的响应恢复特性、选择性和稳定性。

本发明授权一种基于TPA-3DCNPZ和叠层结构的室温自愈合式NH3传感器及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种基于TPA-3DCNPZ和叠层结构的室温自愈合式NH3传感器的制备方法，其步骤如下： 1将具有自愈合性能的聚氨酯薄膜切割成平面基底，厚度为450～500μm，得到聚氨酯基底； 2将具有下电极结构的掩膜版放在步骤1得到的聚氨酯基底上，先以的蒸镀速率真空热蒸镀600～800nm厚的Ag膜，再以的蒸镀速率真空热蒸镀80～120nm厚的Ag膜，从而得到总厚度为680～920nm的蛇形结构银下电极； 3制备敏感材料旋涂液：将0.5～1.5mLCHCl3与18～22mgTPA-3DCNPZ敏感材料粉体混合并搅拌均匀，得到敏感材料旋涂液；TPA-3DCNPZ敏感材料的化学结构式如下， 4将步骤3得到的敏感材料旋涂液旋涂在步骤2得到的带有银下电极的聚氨酯基底上，旋涂速率为800～1200rads，旋涂时间为50～80s，旋涂1～3层，然后烘干有机溶剂，得到的TPA-3DCNPZ敏感材料薄膜的厚度为400～600nm； 5将具有上电极结构的掩膜版放置在步骤4得到的器件上，以的蒸镀速率真空热蒸镀100～200nm厚的Au膜作为上电极，从而制备得到所述的基于TPA-3DCNPZ和叠层结构的室温自愈合式NH3传感器。

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