合肥睿科微电子有限公司魏志强获国家专利权
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龙图腾网获悉合肥睿科微电子有限公司申请的专利非易失性存储单元的制造方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115440883B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-04-28发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202211085415.4，技术领域涉及：H10N70/00；该发明授权非易失性存储单元的制造方法是由魏志强;吕志超设计研发完成，并于2020-06-09向国家知识产权局提交的专利申请。
本非易失性存储单元的制造方法在说明书摘要公布了：本发明公开一种非易失性存储单元的制造方法，包括：在第一金属线路上形成第一介质层；刻蚀形成直达所述第一金属线路的第一过孔；在所述第一过孔内形成一底电极；在所述底电极和所述第一介质层上形成一电阻层、一顶电极以及第二介质层；氧化所述电阻层和所述顶电极，以形成覆盖所述顶电极和所述电阻层的侧面部分；形成覆盖所述第二介质层和所述侧面部分的侧墙层；形成第二过孔，所述第二过孔贯穿所述侧墙层和所述第二介质层，直达所述顶电极；以及在所述第二过孔内形成一接触导线，所述接触导线的宽度小于所述侧面部分的外侧面之间的宽度。
本发明授权非易失性存储单元的制造方法在权利要求书中公布了：1.一种非易失性存储单元的制造方法，其特征在于，所述方法包括： 在第一金属线路上形成第一介质层； 刻蚀形成直达所述第一金属线路的第一过孔； 在所述第一过孔内形成一底电极； 在所述底电极和所述第一介质层上形成一电阻层、一顶电极以及第二介质层； 氧化所述电阻层和所述顶电极，以形成覆盖所述顶电极和所述电阻层的绝缘性的侧面部分； 形成覆盖所述第二介质层和所述侧面部分的侧墙层； 形成第二过孔，所述第二过孔贯穿所述侧墙层和所述第二介质层，直达所述顶电极；以及 在所述第二过孔内形成一接触导线，所述接触导线的宽度小于所述侧面部分的外侧面之间的宽度，所述接触导线的部分底面以及所述接触导线的部分侧面与所述侧面部分相接触， 其中所述侧面部分用于阻止氧从所述电阻层扩散并防止所述接触导线与所述电阻层之间的短路。
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