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龙图腾网获悉中国科学院微电子研究所申请的专利一种混合存储器结构及其制作方法、操作方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115411048B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-04-28发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202110579107.6，技术领域涉及：H10B43/35；该发明授权一种混合存储器结构及其制作方法、操作方法是由范冬宇;夏志良;霍宗亮;叶甜春设计研发完成，并于2021-05-26向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种混合存储器结构及其制作方法、操作方法在说明书摘要公布了：本发明涉及一种混合存储器结构及其制作方法、操作方法，该存储器结构包括位于基底上的层叠结构，层叠结构包括交替排布的主栅层和隔离层，且层叠结构的底层和顶层均为隔离层，层叠结构包括相互分隔的第一第二层叠结构；第一存储单元包括第一层叠结构、第一通孔和在第一通孔的侧壁依次设置的阻挡层、电荷捕获层、隧穿层、第一沟道层以及第一支撑层；第二存储单元包括第二层叠结构、第二通孔和在第二通孔的侧壁依次设置的介质层、铁电层、辅栅极材料层、第二沟道层以及第二支撑层。本申请的技术方案避免了芯片与芯片之间的数据传输，实现了芯片内部的数据传输，避免了外部数据总线的传输延迟影响，提高了数据的传输速度。

本发明授权一种混合存储器结构及其制作方法、操作方法在权利要求书中公布了：1.一种混合存储器结构，其特征在于，包括位于基底上的层叠结构，所述层叠结构包括交替排布的主栅层和隔离层，且所述层叠结构的底层和顶层均为隔离层，所述层叠结构包括通过分隔线相互分隔的第一层叠结构以及第二层叠结构； 第一存储单元包括所述第一层叠结构、贯穿所述第一层叠结构的第一通孔以及在第一通孔的侧壁由外而内依次设置的阻挡层、电荷捕获层、隧穿层、第一沟道层以及第一支撑层； 第二存储单元包括所述第二层叠结构、贯穿所述第二层叠结构的第二通孔以及在第二通孔的侧壁由外而内依次设置的介质层、铁电层、辅栅极材料层、第二沟道层以及第二支撑层；介质层的材料为硅的氧化物； 所述混合存储器结构包括多个存储矩阵，每个存储矩阵包括第一存储区域以及第二存储区域，所述第一存储区域包括多个第一存储单元，所述第二存储区域包括多个第二存储单元；每个存储矩阵还包括寻址电路区域以及外围电路区域； 所述第一存储区域为3DNAND存储器区域，所述第二存储区域为铁电存储器区域；第一存储区域用于存储数据，第二存储区域用于预存数据或数据缓存。

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