华灿光电(苏州)有限公司王群获国家专利权
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龙图腾网获悉华灿光电(苏州)有限公司申请的专利功率半导体器件及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115394841B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-04-28发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210861637.4，技术领域涉及：H10D64/23；该发明授权功率半导体器件及其制备方法是由王群;龚逸品;陈张笑雄;王江波设计研发完成，并于2022-07-20向国家知识产权局提交的专利申请。
本功率半导体器件及其制备方法在说明书摘要公布了：本公开提供了一种功率半导体器件及其制备方法，属于半导体电力电子领域。该功率半导体器件包括外延片、阳电极和阴电极；外延片包括衬底和依次形成在衬底上的缓冲层、GaN层、AlGaN层、GaN帽层和SiN保护层；阳电极和阴电极相互间隔，阳电极和阴电极均嵌入AlGaN层和GaN帽层内，阳电极包括在外延生长方向上依次叠设的GaN部和肖特基金属电极部，阴电极包括在外延生长方向上依次叠设的重掺N型GaN部和欧姆金属电极部。本公开能够改善电场分布，提高可靠性。
本发明授权功率半导体器件及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种功率半导体器件，其特征在于，包括外延片10、阳电极20和阴电极30； 所述外延片10包括衬底110和依次形成在所述衬底110上的缓冲层120、GaN层130、AlGaN层140、GaN帽层150和SiN保护层160； 所述阳电极20和所述阴电极30相互间隔，所述阳电极20和所述阴电极30均嵌入所述AlGaN层140和GaN帽层150内，所述阳电极20包括在外延生长方向上依次叠设的GaN部210和肖特基金属电极部220，所述GaN部210位于所述AlGaN层140内，所述肖特基金属电极部220一部分位于所述AlGaN层140内，另一部分位于所述GaN帽层150内，所述GaN部210和所述肖特基金属电极部220的接触处位于所述AlGaN层140内，所述阴电极30包括在外延生长方向上依次叠设的重掺N型GaN部310和欧姆金属电极部320。
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