中国科学院微电子研究所;真芯(北京)半导体有限责任公司康卜文获国家专利权
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龙图腾网获悉中国科学院微电子研究所;真芯(北京)半导体有限责任公司申请的专利用于防止图案歪曲的半导体装置及其形成方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114628382B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-04-28发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202011435924.6，技术领域涉及：H10D84/00；该发明授权用于防止图案歪曲的半导体装置及其形成方法是由康卜文;高建峰;贺晓斌;丁明正;刘卫兵设计研发完成，并于2020-12-10向国家知识产权局提交的专利申请。
本用于防止图案歪曲的半导体装置及其形成方法在说明书摘要公布了：本申请公开了一种用于防止图案歪曲的半导体装置及其形成方法，半导体装置包括：位于中心区域的多个依次排列的条型图案、位于中心区域的两个相对边缘的虚设图案，条型图案与虚设图案的形成条件均相同，每个条型图案的两端分别与各自对应的第一金属电连接，每个虚设图案的两端分别与各自对应的第二金属电连接，且第二金属用于连接电源；条型图案和虚设图案属于半导体装置的第一膜层，第一金属和第二金属属于半导体装置的第二膜层。由于第二金属与虚设图案一起作为一个半导体结构接入电源，为电源导入阱偏置电压，其效果不仅仅能减少条型图案的歪曲现象，还能为电源导入阱偏置电压，进而通过灵活运用虚设图案可以为半导体集成度的发展提供便利条件。
本发明授权用于防止图案歪曲的半导体装置及其形成方法在权利要求书中公布了：1.一种用于防止图案歪曲的半导体装置，所述半导体装置包括位于中心区域的多个依次排列的条型图案、位于所述中心区域的两个相对边缘的虚设图案，所述条型图案与所述虚设图案的形成条件均相同，其特征在于，每个所述条型图案的两端分别与各自对应的第一金属电连接，每个所述虚设图案的两端分别与各自对应的第二金属电连接，且所述第二金属用于连接电源，所述虚设图案用于为所述电源导入阱偏置电压； 所述条型图案和所述虚设图案位于所述半导体装置的第一膜层，所述第一金属和所述第二金属位于所述半导体装置的第二膜层； 每个所述条型图案的两端分别通过接触孔与各自对应的第一金属电连接，每个所述虚设图案的两端分别通过接触孔与各自对应的第二金属电连接。
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