台湾积体电路制造股份有限公司江振豪获国家专利权
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龙图腾网获悉台湾积体电路制造股份有限公司申请的专利光电子器件及其形成方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114078887B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-04-28发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202110868426.9，技术领域涉及：H10F39/10；该发明授权光电子器件及其形成方法是由江振豪;陈逸群;陈志明设计研发完成，并于2021-07-30向国家知识产权局提交的专利申请。
本光电子器件及其形成方法在说明书摘要公布了：本发明的各个实施例针对具有用于暗电流减小的钝化层的图像传感器。器件层位于衬底上面。此外，帽层位于器件层上面。帽层和器件层以及衬底是半导体材料，并且器件层具有比帽层和衬底小的带隙。例如，帽层和衬底可以是硅，而器件层可以是锗或包括锗。光电探测器位于器件层和帽层中，并且钝化层位于帽层上面。钝化层包括高k介电材料，并且引起沿着帽层的顶面的偶极矩的形成。本发明的实施例还涉及光电子器件及其形成方法。
本发明授权光电子器件及其形成方法在权利要求书中公布了：1.一种光电子器件，包括： 衬底； 锗光电二极管区域，延伸至所述衬底的上表面中去，其中，所述锗光电二极管区域具有弯曲上表面，所述弯曲上表面延伸超过所述衬底的所述上表面； 硅帽，位于所述锗光电二极管区域的所述弯曲上表面上面，其中，在所述锗光电二极管区域的所述弯曲上表面和所述硅帽的上表面之间不存在氧化物，其中，p型区域和n型区域位于所述锗光电二极管区域的相对侧上，并且其中，所述硅帽覆盖所述锗光电二极管区域的弯曲上表面的弯曲部分；以及 硅锗界面层，设置在所述锗光电二极管区域上方，并且将所述锗光电二极管区域的所述弯曲上表面和所述硅帽的下表面分隔开，其中，在所述硅锗界面层的厚度上，所述硅锗界面层具有变化的硅与锗的原子比率，其中，所述硅与锗的原子比率具有靠近所述锗光电二极管区域的第一值和靠近所述硅帽的第二值，所述第二值大于所述第一值。
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