东京毅力科创株式会社郭世荣获国家专利权
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龙图腾网获悉东京毅力科创株式会社申请的专利蚀刻方法和等离子体处理系统获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114078697B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-04-28发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202110887494.X，技术领域涉及：H10P50/24；该发明授权蚀刻方法和等离子体处理系统是由郭世荣;佐佐木彦一郎;昆泰光设计研发完成，并于2021-08-03向国家知识产权局提交的专利申请。
本蚀刻方法和等离子体处理系统在说明书摘要公布了：本发明涉及蚀刻方法和等离子体处理系统。在表面形成有蚀刻对象层和预先进行了图案形成的掩模层的处理对象体的蚀刻处理中，改善该处理对象体的表面形态学，且抑制该蚀刻处理中的掩模层的消耗。一种蚀刻方法，其为对在表面形成有蚀刻对象层、和形成于比该蚀刻对象层还靠上层、且预先进行了图案形成的掩模层的处理对象体进行蚀刻的方法，所述蚀刻方法包括如下工序：工序a，将前述掩模层作为掩模，对前述蚀刻对象层进行蚀刻；工序b，用堆积物覆盖前述处理对象体的表面；和，工序c，对用前述堆积物覆盖了的前述处理对象体的表面进行蚀刻，使该表面平坦化。
本发明授权蚀刻方法和等离子体处理系统在权利要求书中公布了：1.一种蚀刻方法，其为对在表面形成有蚀刻对象层、和形成于比该蚀刻对象层还靠上层、且预先进行了图案形成的掩模层的处理对象体进行蚀刻的方法，所述蚀刻方法包括如下工序： 工序A，将所述掩模层作为掩模，对所述蚀刻对象层进行蚀刻； 工序B，用堆积物覆盖所述处理对象体的表面；和， 工序C，对用所述堆积物覆盖了的所述处理对象体的表面进行蚀刻，使该表面平坦化， 其中，在所述处理对象体的表面层叠并形成所述蚀刻对象层， 对于每一个层叠并形成的该蚀刻对象层重复进行所述工序A、所述工序B和所述工序C。
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