买专利卖专利找龙图腾，真高效！ 查专利查商标用IPTOP,全免费！专利年费监控用IP管家,真方便！

龙图腾网获悉福建金石能源有限公司申请的专利一种提升绝缘隔离效果的背接触异质结太阳能电池及其制作方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114038922B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-04-28发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202111511421.7，技术领域涉及：H10F77/30；该发明授权一种提升绝缘隔离效果的背接触异质结太阳能电池及其制作方法是由林锦山;谢志刚设计研发完成，并于2021-12-06向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种提升绝缘隔离效果的背接触异质结太阳能电池及其制作方法在说明书摘要公布了：本发明涉及一种提升绝缘隔离效果的背接触异质结太阳能电池的制作方法，将半导体基板的第一主面划分为第一导电型的第一导电区和第二导电型的第二导电区；对半导体基板第一主面的第一导电区内部区域进行蚀刻形成第一导电区凹槽，对半导体基板第一主面的第二导电区进行蚀刻形成第二导电区凹槽。本发明的目的在于提供一种提升绝缘隔离效果的背接触异质结太阳能电池及其制作方法，其提高了工艺的稳定性，避免了多次掩膜操作带来工艺的复杂性，适合大规模的工艺生产。

本发明授权一种提升绝缘隔离效果的背接触异质结太阳能电池及其制作方法在权利要求书中公布了：1.一种提升绝缘隔离效果的背接触异质结太阳能电池，其特征在于：它包括第一主面划分为第一导电型的第一导电区和第二导电型的第二导电区的半导体基板、蚀刻第一导电区内部区域的半导体基板形成的第一导电区凹槽以及蚀刻第二导电区的半导体基板形成的第二导电区凹槽；所述第一导电区中与第二导电区交界区域未被蚀刻形成凸沿；所述第一导电区覆盖有第一导电型膜层，所述第一导电区凸沿部的第一导电型膜层远离半导体基板方向的表面覆盖有第一绝缘膜层；所述第二导电区与第一绝缘膜层上覆盖有第二导电型膜层；它还包括设置在第一导电区上且与第一导电型膜层电连接的第一导电层、设置在第一导电层上的第一电极、设置在第二导电区上且与第二导电型膜层电连接的第二导电层以及设置在第二导电层上的第二电极；所述第一导电层与第二导电层之间设有绝缘分隔槽；所述第一导电区凹槽的深度为10-50μm；所述第二导电区凹槽的深度为10-50μm； 所述的提升绝缘隔离效果的背接触异质结太阳能电池的制作方法如下： 将半导体基板的第一主面划分为第一导电型的第一导电区和第二导电型的第二导电区；对半导体基板第一主面的第一导电区内部区域进行蚀刻形成第一导电区凹槽，对半导体基板第一主面的第二导电区进行蚀刻形成第二导电区凹槽； 它的步骤如下， 步骤A，在半导体基板第一主面对除与第二导电区交界区域外的第一导电区部分区域进行蚀刻形成第一导电区凹槽； 步骤B，在半导体基板的第一主面依次形成第一导电型膜层和第一绝缘膜层； 步骤C，蚀刻除去第一导电区以外区域的第一绝缘膜层和第一导电型膜层，并蚀刻随之外露的半导体基板第一主面，以形成表面附着有第一绝缘膜层的第一导电区以及外露的第二导电区凹槽； 步骤D，在经步骤C处理的半导体基板的第一主面形成第二导电型膜层； 步骤E，蚀刻除去覆盖在第一导电区凹槽区域的第二导电型膜层和第一绝缘膜层； 步骤F，在半导体基板的第一主面形成导电膜层； 步骤G，在未蚀刻第一导电区凹槽的第一导电区区域进行第一导电区和第二导电区之间绝缘分隔的开槽以及形成第一导电区的第一电极和第二导电区的第二电极。

如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人福建金石能源有限公司，其通讯地址为：362200 福建省泉州市晋江市经济开发区(五里园)泉源路17号；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。

以上内容由龙图腾AI智能生成。