台湾积体电路制造股份有限公司吕俊颉获国家专利权
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龙图腾网获悉台湾积体电路制造股份有限公司申请的专利铁电存储器器件及其形成方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN113380828B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-04-28发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202110259186.2，技术领域涉及：H10B51/30；该发明授权铁电存储器器件及其形成方法是由吕俊颉;杨世海;杨柏峰;林佑明;张志宇设计研发完成，并于2021-03-10向国家知识产权局提交的专利申请。
本铁电存储器器件及其形成方法在说明书摘要公布了：铁电存储器器件包括多层堆叠件、沟道层、铁电层和除氧层。多层堆叠件设置在衬底上并且包括交替堆叠的多个导电层和多个介电层。沟道层穿透多个导电层和多个介电层。铁电层设置在沟道层与多个导电层和多个介电层之间。除氧层沿着多个导电层的侧壁设置。多个除氧层将铁电层与多个导电层横向分隔开。本发明的实施例还涉及铁电存储器器件的形成方法。
本发明授权铁电存储器器件及其形成方法在权利要求书中公布了：1.一种铁电存储器器件，包括： 多层堆叠件，设置在衬底上并且包括交替堆叠的多个导电层和多个介电层； 沟道层，穿透所述多个导电层和所述多个介电层； 铁电层，设置在所述沟道层与所述多个导电层和所述多个介电层之间；以及 多个除氧层，沿着所述多个导电层的侧壁设置，其中，所述多个除氧层将所述铁电层与所述多个导电层横向分隔开，其中所述多个除氧层之一物理接触所述多个导电层之一，栅电极包括所述导电层和所述除氧层，所述铁电层直接接触所述多个介电层的侧壁、并且直接接触所述多个除氧层的背离所述多个导电层的侧壁，其中，所述铁电层具有面向所述沟道层的第一侧表面以及与所述第一侧表面相对的第二侧表面，所述第二侧表面面向所述多个除氧层和所述多个介电层，并且所述除氧层的朝向所述铁电层的面与所述介电层的朝向所述铁电层的面上下齐平。
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