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龙图腾网获悉三星电子株式会社申请的专利半导体器件获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN111682015B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-04-28发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202010110647.5，技术领域涉及：H10D80/20；该发明授权半导体器件是由金成玟;河大元设计研发完成，并于2020-02-24向国家知识产权局提交的专利申请。

本半导体器件在说明书摘要公布了：一种半导体器件包括：下半导体衬底；与所述下半导体衬底交叠的上半导体衬底，所述上半导体衬底包括第一表面和与所述第一表面相对的第二表面；上栅极结构，所述上栅极结构位于所述上半导体衬底的所述第一表面上；第一层间绝缘膜，所述第一层间绝缘膜覆盖所述上栅极结构，其中，所述第一层间绝缘膜位于所述下半导体衬底和所述上半导体衬底之间；和上接触，所述上接触连接到所述下半导体衬底，其中，所述上接触位于所述上栅极结构的侧表面上，其中，所述上接触包括第一部分和第二部分，所述第一部分穿透所述上半导体衬底，所述第二部分具有与所述上栅极结构的所述侧表面相邻的侧表面，并且所述第一部分的宽度朝着所述第二表面而减小。

本发明授权半导体器件在权利要求书中公布了：1.一种半导体器件，包括： 下半导体衬底； 上半导体衬底，所述上半导体衬底与所述下半导体衬底交叠，所述上半导体衬底包括面向所述下半导体衬底的第一表面和与所述第一表面相对的第二表面； 上栅极结构，所述上栅极结构位于所述上半导体衬底的所述第一表面上，并且所述上栅极结构包括与所述上半导体衬底的所述第一表面相邻的顶表面和与所述顶表面相对的底表面； 第一层间绝缘膜，所述第一层间绝缘膜覆盖所述上栅极结构，其中，所述第一层间绝缘膜位于所述下半导体衬底和所述上半导体衬底之间；和 上接触，所述上接触连接到所述下半导体衬底，其中，所述上接触位于所述上栅极结构的侧表面上， 其中，所述上接触包括第一部分、第二部分和第三部分，所述第一部分穿透所述上半导体衬底，所述第二部分具有与所述上栅极结构的所述侧表面相邻的侧表面，所述第三部分位于所述第二部分下方并且在所述第一层间绝缘膜中连接到所述第二部分， 所述第一部分的宽度朝着所述第二表面而减小， 所述上栅极结构的所述侧表面包括与所述上栅极结构的所述底表面相邻的第一凹形凹陷， 所述第二部分包括朝着所述上栅极结构突出并且填充所述第一凹形凹陷的第一突起， 所述第一层间绝缘膜的侧表面包括与所述上栅极结构的所述底表面相邻的第二凹形凹陷，并且 所述第三部分包括朝着所述第一层间绝缘膜突出并且填充所述第二凹形凹陷的第二突起。

如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人三星电子株式会社，其通讯地址为：韩国京畿道；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。

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